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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Transferred |
| 零件包装代码： | SOIC | 包装说明： | 0.150 INCH, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SOP-8 |
| 针数： | 8 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8542.32.00.51 |
| 风险等级： | 5.56 | 最大时钟频率 (fCLK)： | 33 MHz |
| 数据保留时间-最小值： | 20 | 耐久性： | 100000 Write/Erase Cycles |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G8 | 长度： | 4.9 mm |
| 内存密度： | 1048576 bit | 内存集成电路类型： | FLASH |
| 内存宽度： | 8 | 功能数量： | 1 |
| 端子数量： | 8 | 字数： | 131072 words |
| 字数代码： | 128000 | 工作模式： | SYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 85 °C | 最低工作温度： | -40 °C |
| 组织： | 128KX8 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | SOP | 封装等效代码： | SOP8,.25 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 并行/串行： | SERIAL | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 电源： | 3/3.3 V | 编程电压： | 2.7 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 座面最大高度： | 1.75 mm |
| 串行总线类型： | SPI | 最大待机电流： | 0.00001 A |
| 子类别： | Flash Memories | 最大压摆率： | 0.015 mA |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 3.6 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 2.7 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 3 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | INDUSTRIAL |
| 端子形式： | GULL WING | 端子节距： | 1.27 mm |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 类型： | NOR TYPE | 宽度： | 3.9 mm |
| 写保护： | HARDWARE/SOFTWARE | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| M25PE80-VMN6TP | NUMONYX |
功能相似  |
8-Mbit, page-erasable serial flash memory with byte alterability, 75 MHz SPI bus, standard |
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| M25P10-AVMN6P | STMICROELECTRONICS |
功能相似 |
512 Kbit to 32 Mbit, Low Voltage, Serial Flash Memory With 40 MHz or 50 MHz SPI Bus Interf |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| M25PE10-VMP6G | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
1 and 2 Mbit, low voltage, Page-Erasable Serial Flash memories with Byte-Alterability, 50 |
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| M25PE10-VMP6G | NUMONYX |
获取价格 |
1 and 2 Mbit, page-erasable serial Flash memories with byte alterability, 75 MHz SPI bus, |
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| M25PE10-VMP6G | MICRON |
获取价格 |
This tech note describes considerations in thermal applications for Micron memory devices, |
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| M25PE10-VMP6P | NUMONYX |
获取价格 |
1 and 2 Mbit, page-erasable serial Flash memories with byte alterability, 75 MHz SPI bus, |
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| M25PE10-VMP6P | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
1 and 2 Mbit, low voltage, Page-Erasable Serial Flash memories with Byte-Alterability, 50 |
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| M25PE10-VMP6TG | NUMONYX |
获取价格 |
1 and 2 Mbit, page-erasable serial Flash memories with byte alterability, 75 MHz SPI bus, |
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| M25PE10-VMP6TG | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
1 and 2 Mbit, Low Voltage, Page-Erasable Serial Flash Memories with Byte-Alterability, 33 |
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| M25PE10-VMP6TG | MICRON |
获取价格 |
This tech note describes considerations in thermal applications for Micron memory devices, |
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| M25PE10-VMP6TP | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
1 and 2 Mbit, Low Voltage, Page-Erasable Serial Flash Memories with Byte-Alterability, 33 |
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| M25PE10-VMP6TP | NUMONYX |
获取价格 |
1 and 2 Mbit, page-erasable serial Flash memories with byte alterability, 75 MHz SPI bus, |
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解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
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