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M25PE10-VMN6P PDF预览

M25PE10-VMN6P

更新时间： 2024-11-21 15:17:59
品牌 Logo 应用领域
镁光 - MICRON /
页数 文件大小 规格书
63页 797K
描述
1Mb, 2Mb, Page-Erasable, Serial NOR Flash Memories with Byte Alterability, 75 MHz Serial Peripheral Interface, Standard Pinout

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M25PE10-VMN6P 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：SOIC
包装说明：SOP, SOP8,.25针数：8
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.32.00.51风险等级：8.24
Is Samacsys：N最大时钟频率 (fCLK)：33 MHz
数据保留时间-最小值：20耐久性：100000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码：R-PDSO-G8长度：4.9 mm
内存密度：1048576 bit内存集成电路类型：FLASH
内存宽度：8功能数量：1
端子数量：8字数：131072 words
字数代码：128000工作模式：SYNCHRONOUS
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-40 °C
组织：128KX8封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：SOP封装等效代码：SOP8,.25
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
并行/串行：SERIAL峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
电源：3/3.3 V编程电压：2.7 V
认证状态：Not Qualified座面最大高度：1.75 mm
串行总线类型：SPI最大待机电流：0.00001 A
子类别：Flash Memories最大压摆率：0.015 mA
最大供电电压 (Vsup)：3.6 V最小供电电压 (Vsup)：2.7 V
标称供电电压 (Vsup)：3 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：INDUSTRIAL
端子形式：GULL WING端子节距：1.27 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
类型：NOR TYPE宽度：3.9 mm
写保护：HARDWARE/SOFTWAREBase Number Matches：1

M25PE10-VMN6P 数据手册

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M25PE20, M25PE10 Serial Flash Embedded Memory  
Features  
M25PE20/M25PE10 2Mb and 1Mb  
3V NOR Serial Flash Memory  
Serial Flash Memory with Byte Alterability, 75 MHz SPI bus, Standard  
Pinout  
Features  
• 1Mb or 2Mb of page-erasable Flash memory  
• 2.7V to 3.6V single supply voltage  
• SPI bus compatible serial interface  
• 75 MHz clock rate (maximum)  
• Page size: 256 bytes  
– Page write in 11ms (TYP)  
– Page program in 0.8ms (TYP)  
– Page erase in 10ms (TYP)  
• Subsector erase: 32Kb  
– Sector erase: 512Kb  
– Bulk erase: 1Mb for M25PE10; 2Mb for M25PE20  
• Deep power-down mode: 1µA (TYP)  
• Electronic signature  
– JEDEC standard 2-byte signature (8012h for  
M25PE20; 8011h for M25PE10)  
• Software write-protection on a 64KB sector basis  
• More than 100,000 write cycles per sector  
• More than 20 years of data retention  
• Hardware write protection of the memory area se-  
lected using the BP0 and BP1 bits  
• Packages (RoHS compliant)  
– SO8N (MN) 150 mil width  
– VFQFPN8 (MP) 6mm x 5mm  
• Automotive grade parts available  
PDF: 09005aef845660ef  
m25pe20_10.pdf - Rev. D 1/18 EN  
Micron Technology, Inc. reserves the right to change products or specifications without notice.  
© 2013 Micron Technology, Inc. All rights reserved.  
1
Products and specifications discussed herein are subject to change by Micron without notice.  
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与M25PE10-VMN6P相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
M25PE10-VMN6TG STMICROELECTRONICS

获取价格

 		1 and 2 Mbit, Low Voltage, Page-Erasable Serial Flash Memories with Byte-Alterability, 33
M25PE10-VMN6TG NUMONYX

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 		1 and 2 Mbit, page-erasable serial Flash memories with byte alterability, 75 MHz SPI bus,
M25PE10-VMN6TP STMICROELECTRONICS

获取价格

 		1 and 2 Mbit, Low Voltage, Page-Erasable Serial Flash Memories with Byte-Alterability, 33
M25PE10-VMN6TP NUMONYX

获取价格

 		1 and 2 Mbit, page-erasable serial Flash memories with byte alterability, 75 MHz SPI bus,
M25PE10-VMN6TP MICRON

获取价格

 		1Mb, 2Mb, Page-Erasable, Serial NOR Flash Memories with Byte Alterability, 75 MHz Serial P
M25PE10-VMP6G STMICROELECTRONICS

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 		1 and 2 Mbit, low voltage, Page-Erasable Serial Flash memories with Byte-Alterability, 50
M25PE10-VMP6G NUMONYX

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 		1 and 2 Mbit, page-erasable serial Flash memories with byte alterability, 75 MHz SPI bus,
M25PE10-VMP6G MICRON

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 		This tech note describes considerations in thermal applications for Micron memory devices,
M25PE10-VMP6P NUMONYX

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 		1 and 2 Mbit, page-erasable serial Flash memories with byte alterability, 75 MHz SPI bus,
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 		1 and 2 Mbit, low voltage, Page-Erasable Serial Flash memories with Byte-Alterability, 50

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