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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Transferred |
| 零件包装代码： | SOIC | 包装说明： | 0.208 INCH, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SOP-8 |
| 针数： | 8 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8542.32.00.51 |
| 风险等级： | 5.35 | Is Samacsys： | N |
| 最大时钟频率 (fCLK)： | 75 MHz | 数据保留时间-最小值： | 20 |
| 耐久性： | 100000 Write/Erase Cycles | JESD-30 代码： | R-PDSO-G8 |
| JESD-609代码： | e3 | 长度： | 5.3 mm |
| 内存密度： | 8388608 bit | 内存集成电路类型： | FLASH |
| 内存宽度： | 8 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 功能数量： | 1 | 端子数量： | 8 |
| 字数： | 1048576 words | 字数代码： | 1000000 |
| 工作模式： | SYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 85 °C |
| 最低工作温度： | -40 °C | 组织： | 1MX8 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | SOP |
| 封装等效代码： | SOP8,.3 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 并行/串行： | SERIAL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 电源： | 3/3.3 V |
| 编程电压： | 2.7 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 座面最大高度： | 2.5 mm | 串行总线类型： | SPI |
| 最大待机电流： | 0.00001 A | 子类别： | Flash Memories |
| 最大压摆率： | 0.015 mA | 最大供电电压 (Vsup)： | 3.6 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 2.7 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 3 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | INDUSTRIAL | 端子面层： | MATTE TIN |
| 端子形式： | GULL WING | 端子节距： | 1.27 mm |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 |
| 类型： | NOR TYPE | 宽度： | 5.62 mm |
| 最长写入周期时间 (tWC)： | 15 ms | 写保护： | HARDWARE/SOFTWARE |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| M25P80-VMN6TP | STMICROELECTRONICS |
功能相似  |
1M X 8 FLASH 2.7V PROM, PDSO8, 0.150 INCH, ROHS COMPLIANT, SOP-8 |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| M25P80-VMW6TGBA | MICRON |
获取价格 |
8Mb, Low-Voltage, Serial NOR Flash Memory with 75 MHz Serial Peripheral Interface |
|
| M25P80-VMW6TP | NUMONYX |
获取价格 |
8 Mbit, low voltage, serial Flash memory with 75 MHz SPI bus interface |
|
| M25P80-VMW6TP | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
8 Mbit, Low Voltage, Serial Flash Memory With 40MHz SPI Bus Interface |
|
| M25PE10 | SST |
获取价格 |
1 and 2 Mbit,Low Voltage,Page-Erasable Serial Flash Memories with Byte-Alterability,33 MHz |
|
| M25PE10 | NUMONYX |
获取价格 |
1 and 2 Mbit, page-erasable serial Flash memories with byte alterability, 75 MHz SPI bus, |
|
| M25PE10-VD11 | MICRON |
获取价格 |
This tech note describes considerations in thermal applications for Micron memory devices, |
|
| M25PE10-VMN3TPB | MICRON |
获取价格 |
This tech note describes considerations in thermal applications for Micron memory devices, |
|
| M25PE10-VMN6G | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
1 and 2 Mbit, low voltage, Page-Erasable Serial Flash memories with Byte-Alterability, 50 |
|
| M25PE10-VMN6G | NUMONYX |
获取价格 |
1 and 2 Mbit, page-erasable serial Flash memories with byte alterability, 75 MHz SPI bus, |
|
| M25PE10-VMN6P | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
1 and 2 Mbit, low voltage, Page-Erasable Serial Flash memories with Byte-Alterability, 50 |
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