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M25P40SVMW3P/XA

更新时间： 2023-05-15 00:00:00
品牌 Logo 应用领域
恒忆 - NUMONYX 时钟光电二极管内存集成电路存储闪存
页数 文件大小 规格书
57页 1161K
描述
Flash, 512KX8, PDSO8

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M25P40SVMW3P/XA 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：SOP, SOP8,.3Reach Compliance Code：compliant
风险等级：5.83最大时钟频率 (fCLK)：25 MHz
数据保留时间-最小值：20耐久性：100000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码：R-PDSO-G8内存密度：4194304 bit
内存集成电路类型：FLASH内存宽度：8
端子数量：8字数：524288 words
字数代码：512000最高工作温度：125 °C
最低工作温度：-40 °C组织：512KX8
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：SOP
封装等效代码：SOP8,.3封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE并行/串行：SERIAL
电源：3/3.3 V认证状态：Not Qualified
串行总线类型：SPI最大待机电流：0.00005 A
子类别：Flash Memories最大压摆率：0.015 mA
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：AUTOMOTIVE端子形式：GULL WING
端子节距：1.27 mm端子位置：DUAL
类型：NOR TYPE写保护：HARDWARE/SOFTWARE

M25P40SVMW3P/XA 数据手册

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M25P40  
4 Mbit, low voltage, serial Flash memory  
with 75 MHz SPI bus interface  
Features  
„
„
„
„
„
4 Mbit of Flash memory  
2.3 V to 3.6 V single supply voltage  
SPI bus compatible serial interface  
75 MHz clock rate (maximum)  
SO8 (MN)  
150 mils width  
Page Program (up to 256 bytes) in 0.8 ms  
(typical)  
„
„
„
„
Sector Erase (512 Kbit) in 0.6 s (typical)  
Bulk Erase (4 Mbit) in 4.5 s (typical)  
Deep Power-down mode 1 μA (typical)  
Hardware Write Protection: protected area  
size defined by three non-volatile bits (BP0,  
BP1 and BP2)  
SO8W (MW)  
208 mils width  
„
Electronic signatures  
– JEDEC standard two-byte signature  
(2013h)  
– Unique ID code (UID) with 16 bytes read-  
only, available upon customer request  
– RES instruction, one-byte, signature (12h),  
for backward compatibility  
QFN8L (MS)  
MLP8 6 x 5 mm  
„
„
Packages  
– RoHS compliant  
Automotive grade parts available  
VFQPN8 (MP)  
(MLP8 6 x 5 mm)  
May 2009  
Rev 18  
1/57  
www.Numonyx.com  
1
1234567...57

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与M25P40SVMW3P/XA相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
M25P40SVMW3PBA NUMONYX

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 		EEPROM, 512KX8, Serial, CMOS, PDSO8, 0.208 INCH, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SOP-8
M25P40SVMW3TG/XA NUMONYX

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