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M25P40-VMW6TG

更新时间： 2024-11-17 14:52:47
品牌 Logo 应用领域
恒忆 - NUMONYX 时钟光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
58页 1175K
描述
Flash, 512KX8, PDSO8, 0.208 INCH, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SOP-8

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M25P40-VMW6TG 技术参数

生命周期：Transferred零件包装代码：SOIC
包装说明：SOP,针数：8
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.32.00.51风险等级：5.5
最大时钟频率 (fCLK)：75 MHzJESD-30 代码：R-PDSO-G8
内存密度：4194304 bit内存集成电路类型：FLASH
内存宽度：8功能数量：1
端子数量：8字数：524288 words
字数代码：512000工作模式：SYNCHRONOUS
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-40 °C
组织：512KX8封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：SOP封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE并行/串行：SERIAL
编程电压：2.7 V认证状态：Not Qualified
座面最大高度：2.5 mm最大供电电压 (Vsup)：3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：2.3 V标称供电电压 (Vsup)：2.7 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：INDUSTRIAL端子形式：GULL WING
端子节距：1.27 mm端子位置：DUAL
宽度：5.62 mm最长写入周期时间 (tWC)：15 ms
Base Number Matches：1

M25P40-VMW6TG 数据手册

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M25P40  
4 Mbit, low voltage, serial Flash memory  
with 75 MHz SPI bus interface  
Features  
„
„
„
„
„
4 Mbit of Flash memory  
2.3 V to 3.6 V single supply voltage  
SPI bus compatible serial interface  
75 MHz clock rate (maximum)  
SO8 (MN)  
150 mils width  
Page Program (up to 256 bytes) in 0.8 ms  
(typical)  
„
„
„
„
Sector Erase (512 Kbit) in 0.6 s (typical)  
Bulk Erase (4 Mbit) in 4.5 s (typical)  
Deep Power-down mode 1 μA (typical)  
Hardware Write Protection: protected area  
size defined by three non-volatile bits (BP0,  
BP1 and BP2)  
SO8W (MW)  
208 mils width  
„
Electronic signatures  
– JEDEC standard two-byte signature  
(2013h)  
– Unique ID code (UID) with 16 bytes read-  
only, available upon customer request  
– RES instruction, one-byte, signature (12h),  
for backward compatibility  
QFN8L (MS)  
MLP8 6 x 5 mm  
„
Packages  
– ECOPACK® (RoHS compliant)  
VFQPN8 (MP)  
(MLP8 6 x 5 mm)  
October 2008  
Rev 16  
1/59  
www.Numonyx.com  
1
1234567...58

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
M25P40-VMW6TG/4 NUMONYX

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