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M25P20SVMN6G

更新时间: 2024-12-01 08:54:43
品牌 Logo 应用领域
恒忆 - NUMONYX 时钟光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
55页 1120K
描述
Flash, 256KX8, PDSO8, SOP-8

M25P20SVMN6G 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:SOIC
包装说明:SOP-8针数:8
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.27
最大时钟频率 (fCLK):75 MHz数据保留时间-最小值:20
耐久性:100000 Write/Erase CyclesJESD-30 代码:R-PDSO-G8
长度:4.9 mm内存密度:2097152 bit
内存集成电路类型:FLASH内存宽度:8
功能数量:1端子数量:8
字数:262144 words字数代码:256000
工作模式:SYNCHRONOUS最高工作温度:85 °C
最低工作温度:-40 °C组织:256KX8
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:SOP
封装等效代码:SOP8,.25封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE并行/串行:SERIAL
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED电源:3/3.3 V
编程电压:2.7 V认证状态:Not Qualified
座面最大高度:1.75 mm串行总线类型:SPI
最大待机电流:0.000005 A子类别:Flash Memories
最大压摆率:0.015 mA最大供电电压 (Vsup):3.6 V
最小供电电压 (Vsup):2.7 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:INDUSTRIAL
端子形式:GULL WING端子节距:1.27 mm
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
类型:NOR TYPE宽度:3.9 mm
写保护:HARDWARE/SOFTWAREBase Number Matches:1

M25P20SVMN6G 数据手册

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M25P20  
2 Mbit, low voltage, Serial Flash memory  
with 75 MHz SPI bus interface  
Feature summary  
„
„
2 Mbit of Flash Memory  
Page Program (up to 256 Bytes) in 0.8 ms  
(typical)  
„
„
„
„
„
„
„
Sector Erase (512 Kbit) in 0.6 s (typical)  
Bulk Erase (2 Mbit) in 3 s (typical)  
2.3 to 3.6 V Single Supply Voltage  
SPI Bus Compatible Serial Interface  
75 MHz Clock Rate (maximum)  
SO8 (MN)  
150 mils width  
Deep Power-down Mode 1 μA (typical)  
Hardware Write Protection: protected area  
size defined by two non-volatile bits (BP0,  
BP1)  
QFN8L (MS)  
MLP8 6 x 5 mm  
„
Electronic Signatures  
– JEDEC Standard two-Byte Signature  
(2012h)  
– Unique ID code (UID) with 16 bytes read-  
only, available upon customer request  
– RES Instruction, One-Byte, Signature  
(11h), for backward compatibility  
VFQFPN8 (MP)  
(MLP8 6 x 5 mm)  
„
Packages  
– ECOPACK® (RoHS compliant)  
October 2008  
Rev 12  
1/55  
www.Numonyx.com  
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