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M25P20-VMN6

更新时间: 2024-12-01 13:09:59
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 闪存
页数 文件大小 规格书
50页 396K
描述
256K X 8 FLASH 2.7V PROM, PDSO8, 0.150 INCH, SOP-8

M25P20-VMN6 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Transferred
零件包装代码:SOIC包装说明:0.150 INCH, SOP-8
针数:8Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8542.32.00.51
风险等级:5.27其他特性:40 MHZ CLOCK FREQUENCY AVAILABLE UPON REQUEST
最大时钟频率 (fCLK):50 MHz数据保留时间-最小值:20
耐久性:100000 Write/Erase CyclesJESD-30 代码:R-PDSO-G8
JESD-609代码:e0长度:4.9 mm
内存密度:2097152 bit内存集成电路类型:FLASH
内存宽度:8功能数量:1
端子数量:8字数:262144 words
字数代码:256000工作模式:SYNCHRONOUS
最高工作温度:85 °C最低工作温度:-40 °C
组织:256KX8封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:SOP封装等效代码:SOP8,.25
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
并行/串行:SERIAL峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
电源:3/3.3 V编程电压:2.7 V
认证状态:Not Qualified座面最大高度:1.75 mm
串行总线类型:SPI最大待机电流:0.000005 A
子类别:Flash Memories最大压摆率:0.015 mA
最大供电电压 (Vsup):3.6 V最小供电电压 (Vsup):2.7 V
标称供电电压 (Vsup):3 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:INDUSTRIAL
端子面层:TIN LEAD端子形式:GULL WING
端子节距:1.27 mm端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED类型:NOR TYPE
宽度:3.9 mm写保护:HARDWARE/SOFTWARE
Base Number Matches:1

M25P20-VMN6 数据手册

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M25P20  
2 Mbit, low voltage, Serial Flash memory  
with 50MHz SPI bus interface  
Feature summary  
2 Mbit of Flash Memory  
Page Program (up to 256 Bytes) in 1.4ms  
(typical)  
Sector Erase (512 Kbit) in 1s (typical)  
Bulk Erase (2 Mbit) in 3s (typical)  
2.7 to 3.6V Single Supply Voltage  
SPI Bus Compatible Serial Interface  
50MHz Clock Rate (maximum)  
Deep Power-down Mode 1µA (typical)  
Electronic Signatures  
SO8 (MN)  
150 mil width  
– JEDEC Standard two-Byte Signature  
(2012h)  
VFQFPN8 (MP)  
(MLP8)  
– RES Instruction, One-Byte, Signature  
(11h), for backward compatibility  
Packages  
– ECOPACK® (RoHS compliant)  
June 2006  
Rev 10  
1/50  
www.st.com  
1

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