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M25P16-VMN6TG

更新时间： 2024-12-01 05:00:51

品牌	Logo	应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS		闪存内存集成电路光电二极管时钟
页数	文件大小	规格书
55页	488K
描述
16 Mbit, low voltage, Serial Flash memory with 50 MHz SPI bus interface

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M25P16-VMN6TG 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	零件包装代码：	SOIC
包装说明：	SOP, SOP8,.25	针数：	8
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.51	风险等级：	5.47
最大时钟频率 (fCLK)：	50 MHz	数据保留时间-最小值：	20
耐久性：	100000 Write/Erase Cycles	JESD-30 代码：	R-PDSO-G8
JESD-609代码：	e4	长度：	4.9 mm
内存密度：	16777216 bit	内存集成电路类型：	FLASH
内存宽度：	8	湿度敏感等级：	1
功能数量：	1	端子数量：	8
字数：	2097152 words	字数代码：	2000000
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	组织：	2MX8
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	SOP
封装等效代码：	SOP8,.25	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	并行/串行：	SERIAL
峰值回流温度（摄氏度）：	260	电源：	3/3.3 V
编程电压：	2.7 V	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	1.75 mm	串行总线类型：	SPI
最大待机电流：	0.00001 A	子类别：	Flash Memories
最大压摆率：	0.015 mA	最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：	2.7 V	标称供电电压 (Vsup)：	3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	INDUSTRIAL	端子面层：	NICKEL PALLADIUM GOLD
端子形式：	GULL WING	端子节距：	1.27 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
类型：	NOR TYPE	宽度：	3.9 mm
最长写入周期时间 (tWC)：	15 ms	写保护：	HARDWARE/SOFTWARE

M25P16-VMN6TG 数据手册

M25P16

16 Mbit, low voltage, Serial Flash memory

with 50 MHz SPI bus interface

Features

■ 16 Mbit of Flash memory

■ Page Program (up to 256 Bytes) in 0.64ms

(typical)

SO8N (MN)

150 mils width

■ Sector Erase (512 Kbit) in 0.6s (typical)

■ Bulk Erase (16 Mbit) in 13s (typical)

■ 2.7 V to 3.6 VV Single Supply Voltage

■ SPI Bus Compatible Serial Interface

■ 50 MHz Clock Rate (maximum)

■ Deep Power-down Mode 1µA (typical)

■ Electronic Signatures

SO8W (MW)

208 mils width

– JEDEC standard two-byte signature

(2015h)

– RES instruction, one-byte, signature (14h),

for backward compatibility

■ More than 100 000 Erase/Program cycles per

Sector

■ Hardware Write Protection: protected area size

defined by three non-volatile bits (BP0, BP1

and BP2)

SO16 (MF)

300 mils width

■ More than 20 year data retention

■ Packages

– ECOPACK® (RoHS compliant)

VFQFPN8 (MP)

6 × 5 mm (MLP8)

VDFPN8 (ME)

8x6mm (MLP8)

January 2007

Rev 10

1/55

www.st.com

12 3 4 5 6 7...55

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M25P16-VMN6TG 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
M25PE16-VMW6G	STMICROELECTRONICS	功能相似	16 Mbit, low-voltage, Page-Erasable Serial Flash memory with byte-alterability, 50 MHz SPI

与M25P16-VMN6TG相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
M25P16VMN6TP	STMICROELECTRONICS	获取价格	512 Kbit to 32 Mbit, Low Voltage, Serial Flash Memory With 40 MHz or 50 MHz SPI Bus Interf
M25P16-VMN6TP	NUMONYX	获取价格	16 Mbit, serial Flash memory, 75 MHz SPI bus interface
M25P16-VMN6TP	STMICROELECTRONICS	获取价格	16 Mbit, low voltage, Serial Flash memory with 50 MHz SPI bus interface
M25P16-VMN6TP	MICRON	获取价格	16Mb Serial NOR Flash Memory with 75 MHz Serial Peripheral Interface
M25P16-VMN6TPBA	MICRON	获取价格	16Mb Serial NOR Flash Memory with 75 MHz Serial Peripheral Interface
M25P16-VMN6YPBA	MICRON	获取价格	16Mb Serial NOR Flash Memory with 75 MHz Serial Peripheral Interface
M25P16VMP3	STMICROELECTRONICS	获取价格	512 Kbit to 32 Mbit, Low Voltage, Serial Flash Memory With 40 MHz or 50 MHz SPI Bus Interf
M25P16-VMP3	NUMONYX	获取价格	16 Mbit, serial Flash memory, 75 MHz SPI bus interface
M25P16VMP3G	STMICROELECTRONICS	获取价格	512 Kbit to 32 Mbit, Low Voltage, Serial Flash Memory With 40 MHz or 50 MHz SPI Bus Interf
M25P16-VMP3G	STMICROELECTRONICS	获取价格	16 Mbit, low voltage, Serial Flash memory with 50 MHz SPI bus interface

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