Datasheet > 存储 > 闪存> M25P16-VMN3TG

M25P16-VMN3TG

更新时间： 2024-12-01 05:00:51

品牌	Logo	应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS		闪存存储内存集成电路光电二极管时钟
页数	文件大小	规格书
55页	488K
描述
16 Mbit, low voltage, Serial Flash memory with 50 MHz SPI bus interface

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册
替代型号

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

M25P16-VMN3TG 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	SOIC	包装说明：	SOP, SOP8,.25
针数：	8	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.51
风险等级：	5.47	最大时钟频率 (fCLK)：	50 MHz
数据保留时间-最小值：	20	耐久性：	10000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码：	R-PDSO-G8	JESD-609代码：	e4
长度：	4.9 mm	内存密度：	16777216 bit
内存集成电路类型：	FLASH	内存宽度：	8
湿度敏感等级：	1	功能数量：	1
端子数量：	8	字数：	2097152 words
字数代码：	2000000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	125 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	2MX8	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	SOP	封装等效代码：	SOP8,.25
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
并行/串行：	SERIAL	峰值回流温度（摄氏度）：	260
电源：	3/3.3 V	编程电压：	2.7 V
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	1.75 mm
串行总线类型：	SPI	最大待机电流：	0.0001 A
子类别：	Flash Memories	最大压摆率：	0.015 mA
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	2.7 V
标称供电电压 (Vsup)：	3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	AUTOMOTIVE
端子面层：	NICKEL PALLADIUM GOLD	端子形式：	GULL WING
端子节距：	1.27 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	类型：	NOR TYPE
宽度：	3.9 mm	最长写入周期时间 (tWC)：	15 ms
写保护：	HARDWARE/SOFTWARE	Base Number Matches：	1

M25P16-VMN3TG 数据手册

M25P16

16 Mbit, low voltage, Serial Flash memory

with 50 MHz SPI bus interface

Features

■ 16 Mbit of Flash memory

■ Page Program (up to 256 Bytes) in 0.64ms

(typical)

SO8N (MN)

150 mils width

■ Sector Erase (512 Kbit) in 0.6s (typical)

■ Bulk Erase (16 Mbit) in 13s (typical)

■ 2.7 V to 3.6 VV Single Supply Voltage

■ SPI Bus Compatible Serial Interface

■ 50 MHz Clock Rate (maximum)

■ Deep Power-down Mode 1µA (typical)

■ Electronic Signatures

SO8W (MW)

208 mils width

– JEDEC standard two-byte signature

(2015h)

– RES instruction, one-byte, signature (14h),

for backward compatibility

■ More than 100 000 Erase/Program cycles per

Sector

■ Hardware Write Protection: protected area size

defined by three non-volatile bits (BP0, BP1

and BP2)

SO16 (MF)

300 mils width

■ More than 20 year data retention

■ Packages

– ECOPACK® (RoHS compliant)

VFQFPN8 (MP)

6 × 5 mm (MLP8)

VDFPN8 (ME)

8x6mm (MLP8)

January 2007

Rev 10

1/55

www.st.com

12 3 4 5 6 7...55

中文翻译

下载PDF

M25P16-VMN3TG 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
M25PE16-VMW6G	STMICROELECTRONICS	功能相似	16 Mbit, low-voltage, Page-Erasable Serial Flash memory with byte-alterability, 50 MHz SPI

与M25P16-VMN3TG相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
M25P16VMN3TP	STMICROELECTRONICS	获取价格	512 Kbit to 32 Mbit, Low Voltage, Serial Flash Memory With 40 MHz or 50 MHz SPI Bus Interf
M25P16-VMN3TP	NUMONYX	获取价格	16 Mbit, serial Flash memory, 75 MHz SPI bus interface
M25P16-VMN3TP	STMICROELECTRONICS	获取价格	16 Mbit, low voltage, Serial Flash memory with 50 MHz SPI bus interface
M25P16-VMN3TP/4	NUMONYX	获取价格	Flash, 2MX8, PDSO8, 0.150 INCH, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SOP-8
M25P16-VMN3TPB	MICRON	获取价格	16Mb Serial NOR Flash Memory with 75 MHz Serial Peripheral Interface
M25P16-VMN3YPB	MICRON	获取价格	16Mb Serial NOR Flash Memory with 75 MHz Serial Peripheral Interface
M25P16VMN6	STMICROELECTRONICS	获取价格	512 Kbit to 32 Mbit, Low Voltage, Serial Flash Memory With 40 MHz or 50 MHz SPI Bus Interf
M25P16-VMN6	NUMONYX	获取价格	16 Mbit, serial Flash memory, 75 MHz SPI bus interface
M25P16VMN6G	STMICROELECTRONICS	获取价格	512 Kbit to 32 Mbit, Low Voltage, Serial Flash Memory With 40 MHz or 50 MHz SPI Bus Interf
M25P16-VMN6G	STMICROELECTRONICS	获取价格	16 Mbit, low voltage, Serial Flash memory with 50 MHz SPI bus interface

与M25P16-VMN3TG相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

53
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

42
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

70
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

66

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

M25P16-VMN3TG

M25P16-VMN3TG 技术参数

M25P16-VMN3TG 数据手册

M25P16-VMN3TG 替代型号

与M25P16-VMN3TG相关器件

与M25P16-VMN3TG相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

M25P16-VMN3TG

M25P16-VMN3TG 技术参数

M25P16-VMN3TG 数据手册

M25P16-VMN3TG 替代型号

与M25P16-VMN3TG相关器件

与M25P16-VMN3TG相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？