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M25P10-AVMN6TP

更新时间: 2024-11-14 15:17:51
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镁光 - MICRON /
页数 文件大小 规格书
53页 685K
描述
1Mb Serial NOR Flash Memory with 50 MHz Serial Peripheral Interface

M25P10-AVMN6TP 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:SOIC
包装说明:SOP,针数:8
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.51风险等级:7.96
其他特性:40 MHZ CLOCK FREQUENCY AVAILABLE UPON REQUEST最大时钟频率 (fCLK):25 MHz
JESD-30 代码:R-PDSO-G8长度:4.9 mm
内存密度:1048576 bit内存集成电路类型:FLASH
内存宽度:8功能数量:1
端子数量:8字数:131072 words
字数代码:128000工作模式:SYNCHRONOUS
最高工作温度:85 °C最低工作温度:-40 °C
组织:128KX8封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:SOP封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE并行/串行:SERIAL
峰值回流温度(摄氏度):260编程电压:2.7 V
认证状态:Not Qualified座面最大高度:1.75 mm
最大供电电压 (Vsup):3.6 V最小供电电压 (Vsup):2.7 V
标称供电电压 (Vsup):3 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:INDUSTRIAL
端子形式:GULL WING端子节距:1.27 mm
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:30
类型:NOR TYPE宽度:3.9 mm
Base Number Matches:1

M25P10-AVMN6TP 数据手册

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M25P10A Serial Flash Embedded Memory  
Features  
M25P10A 1Mb 3V Serial Flash Embedded  
Memory  
• Electronic signature  
– JEDEC-standard 2-byte signature (2011h)  
– RES command, 1-byte signature (10h) for back-  
ward compatibility  
Features  
• SPI bus-compatible serial interface  
• 1Mb Flash memory  
• 50 MHz clock frequency (maximum)  
• 2.3V to 3.6V single supply voltage  
• Page program (up to 256 bytes) in 1.4ms (TYP)  
• Erase capability  
• More than 20 years data retention  
• Automotive-certified parts available  
• Packages (RoHS-compliant)  
– SO8N (MN) 150 mils  
– Sector erase: 256Kb in 0.65s (TYP)  
– Bulk erase: 1Mb in 1.7s (TYP)  
• Deep power-down: 1µA (TYP)  
– VFQFPN8 (MP) MLP8 6mm x 5mm  
– UFDFN8 (MB) 2mm x 3mm  
CCMTD-1725822587-8435  
m25p10A.pdf - Rev. C 05/18 EN  
Micron Technology, Inc. reserves the right to change products or specifications without notice.  
© 2013 Micron Technology, Inc. All rights reserved.  
1
Products and specifications discussed herein are subject to change by Micron without notice.  

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