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M24M01-WMN3TP/A

更新时间: 2024-11-14 11:50:43
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意法半导体 - STMICROELECTRONICS 存储内存集成电路光电二极管可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器时钟
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37页 425K
描述
1 Mbit serial I²C bus EEPROM

M24M01-WMN3TP/A 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:SOIC
包装说明:0.150 INCH, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SOP-8针数:8
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:3A991.B.1.B.1
HTS代码:8542.32.00.51风险等级:5.79
Is Samacsys:N最长访问时间:900 ns
最大时钟频率 (fCLK):1 MHz数据保留时间-最小值:40
耐久性:1000000 Write/Erase CyclesI2C控制字节:1010DDMR
JESD-30 代码:R-PDSO-G8JESD-609代码:e4
长度:4.9 mm内存密度:2097152 bit
内存集成电路类型:EEPROM内存宽度:8
湿度敏感等级:1功能数量:1
端子数量:8字数:262144 words
字数代码:256000工作模式:SYNCHRONOUS
最高工作温度:125 °C最低工作温度:-40 °C
组织:256KX8封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:SOP封装等效代码:SOP8,.25
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
并行/串行:SERIAL峰值回流温度(摄氏度):260
电源:3/5 V认证状态:Not Qualified
筛选级别:AEC-Q100座面最大高度:1.75 mm
串行总线类型:I2C最大待机电流:0.000005 A
子类别:EEPROMs最大压摆率:0.005 mA
最大供电电压 (Vsup):5.5 V最小供电电压 (Vsup):2.5 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:AUTOMOTIVE端子面层:Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
端子形式:GULL WING端子节距:1.27 mm
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
宽度:3.9 mm最长写入周期时间 (tWC):5 ms
写保护:HARDWAREBase Number Matches:1

M24M01-WMN3TP/A 数据手册

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M24M01-HR  
M24M01-R, M24M01-W  
1 Mbit serial I²C bus EEPROM  
Features  
2
Support I C bus modes:  
– 1 MHz Fast-mode Plus  
– 400 kHz Fast mode  
WLCSP (CS)  
– 100 kHz Standard mode  
M24M01-HR:  
2
1 MHz, 400 kHz, or 100 kHz I C clock  
frequency  
M24M01-R, M24M01-W:  
2
SO8 (MN)  
150 mils width  
400 kHz, or 100 kHz I C clock frequency  
Single supply voltage:  
– 1.8 V to 5.5 V  
– 2.5 V to 5.5 V  
Hardware write control  
Byte and Page Write (up to 256 bytes)  
Random and Sequential Read modes  
Self-timed programming cycle  
Automatic address incrementing  
Enhanced ESD/Latch-Up protection  
More than 1 million Write cycles  
More than 40-year data retention  
Packages  
SO8 (MW)  
208 mils width  
®
– ECOPACK (RoHS compliant)  
Wafer  
June 2009  
Doc ID 12943 Rev 7  
1/37  
www.st.com  
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