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M24L816512DA-70BEG

更新时间： 2024-02-10 17:40:37
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晶豪 - ESMT /
页数 文件大小 规格书
12页 310K
描述
8-Mbit (512K x 16) Pseudo Static RAM

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M24L816512DA-70BEG 技术参数

生命周期：Contact Manufacturer零件包装代码：DSBGA
包装说明：TFBGA,针数：48
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：3A991.B.2.A
HTS代码：8542.32.00.41风险等级：5.55
最长访问时间：70 nsJESD-30 代码：R-PBGA-B48
长度：8 mm内存密度：8388608 bit
内存集成电路类型：PSEUDO STATIC RAM内存宽度：16
功能数量：1端子数量：48
字数：524288 words字数代码：512000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C组织：512KX16
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：TFBGA
封装形状：RECTANGULAR封装形式：GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
并行/串行：PARALLEL认证状态：Not Qualified
座面最大高度：1.2 mm最大供电电压 (Vsup)：3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：2.7 V标称供电电压 (Vsup)：3 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：INDUSTRIAL端子形式：BALL
端子节距：0.75 mm端子位置：BOTTOM
宽度：6 mmBase Number Matches：1

M24L816512DA-70BEG 数据手册

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ESMT  
M24L816512DA  
PSRAM  
8-Mbit (512K x 16)  
Pseudo Static RAM  
Features  
Functional Description  
‧Advanced low-power architecture  
The M24L816512DA is a high-performance CMOS pseudo  
static RAM (PSRAM) organized as 512K words by 16 bits that  
supports an asynchronous memory interface. This device  
features advanced circuit design to provide ultra-low active  
current. This is ideal for portable applications such as cellular  
telephones. The device can be put into standby mode  
reducing power consumption dramatically when deselected  
• High speed: 55 ns, 70 ns  
• Wide voltage range: 2.7V to 3.6 V  
• Typical active current: 2 mA @ f = 1 MHz  
• Typical active current: 11 mA @ f = fMAX  
• Low standby power  
• Automatic power-down when deselected  
( CE1 LOW, CE2 HIGH or both BHE and BLE are HIGH).  
The input/output pins(I/O0 through I/O15) are placed in a  
high-impedance state when: deselected ( CE1 HIGH, CE2  
LOW), OE is deasserted HIGH, or during a write operation  
(Chip Enabled and Write Enable WE LOW). Reading from  
the device is accomplished by asserting the Chip Enables  
( CE1 LOW and CE2 HIGH) and Output Enable ( OE ) LOW  
while forcing the Write Enable ( WE ) HIGH. If Byte Low  
Enable (BLE ) is LOW, then data from the memory location  
specified by the address pins will appear on I/O0 to I/O7. If  
Byte High Enable (BHE ) is LOW, then data from memory will  
appear on I/O8 to I/O15. See the Truth Table for a complete  
description of read and write modes.  
Logic Block Diagram  
Elite Semiconductor Memory Technology Inc.  
Publication Date : Jul. 2008  
Revision : 1.1  
1/12  
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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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