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M24L48512SA-60BEG

更新时间： 2024-09-26 05:44:55
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晶豪 - ESMT /
页数 文件大小 规格书
12页 274K
描述
4-Mbit (512K x 8) Pseudo Static RAM

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M24L48512SA-60BEG 技术参数

生命周期：Contact Manufacturer零件包装代码：BGA
包装说明：VFBGA,针数：36
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：3A991.B.2.A
HTS代码：8542.32.00.41风险等级：5.77
最长访问时间：60 nsJESD-30 代码：R-PBGA-B36
长度：8 mm内存密度：4194304 bit
内存集成电路类型：PSEUDO STATIC RAM内存宽度：8
功能数量：1端子数量：36
字数：524288 words字数代码：512000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-25 °C组织：512KX8
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：VFBGA
封装形状：RECTANGULAR封装形式：GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH
并行/串行：PARALLEL认证状态：Not Qualified
座面最大高度：1 mm最大供电电压 (Vsup)：3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：2.7 V标称供电电压 (Vsup)：3 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：OTHER端子形式：BALL
端子节距：0.75 mm端子位置：BOTTOM
宽度：6 mmBase Number Matches：1

M24L48512SA-60BEG 数据手册

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ESMT  
M24L48512SA  
PSRAM  
4-Mbit (512K x 8)  
Pseudo Static RAM  
consumption dramatically when deselected. Writing to the  
device is accomplished by taking Chip Enable ( CE ) and Write  
Features  
• Advanced low power architecture  
• High speed: 55 ns, 60 ns and 70 ns  
• Wide voltage range: 2.7V to 3.6V  
• Typical active current: 1mA @ f = 1 MHz  
• Low standby power  
Enable ( WE ) inputs LOW. Data on the eight I/O pins (I/O0  
through I/O7) is then written into the location specified on the  
address pins (A0 through A18).Reading from the device is  
accomplished by asserting the Chip Enable ( CE ) and Output  
• Automatic power-down when deselected  
Enable ( OE ) inputs LOW while forcing Write Enable ( WE )  
HIGH . Under these conditions, the contents of the memory  
location specified by the address pins will appear on the I/O  
pins. The eight input/output pins (I/O0 through I/O7) are placed  
Functional Description  
in a high-impedance state when the device is deselected ( CE  
HIGH), the outputs are disabled ( OE HIGH), or during write  
The M24L48512SA is a high-performance CMOS pseudo  
static RAM (PSRAM) organized as 512K words by 8 bits. Easy  
memory expansion is provided by an active LOW Chip  
operation ( CE LOW and WE LOW). See the Truth Table  
for a complete description of read and write modes.  
Enable( CE ) and active LOW Output Enable ( OE ).This device  
has an automatic power-down feature that reduces power  
Logic Block Diagram  
Elite Semiconductor Memory Technology Inc.  
Publication Date : Jul. 2008  
Revision : 1.1  
1/12  
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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
M24L48512SA-60BIG ESMT

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