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M24L48512DA-60BIG

更新时间： 2024-01-24 18:52:11

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晶豪 - ESMT		存储内存集成电路静态存储器
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12页	278K
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4-Mbit (512K x 8) Pseudo Static RAM

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M24L48512DA-60BIG 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	零件包装代码：	BGA
包装说明：	VFBGA,	针数：	36
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	3A991.B.2.A
HTS代码：	8542.32.00.41	风险等级：	5.77
Is Samacsys：	N	最长访问时间：	60 ns
JESD-30 代码：	R-PBGA-B36	长度：	8 mm
内存密度：	4194304 bit	内存集成电路类型：	PSEUDO STATIC RAM
内存宽度：	8	功能数量：	1
端子数量：	36	字数：	524288 words
字数代码：	512000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	512KX8	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	VFBGA	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH	并行/串行：	PARALLEL
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	1 mm
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	2.7 V
标称供电电压 (Vsup)：	3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子形式：	BALL	端子节距：	0.75 mm
端子位置：	BOTTOM	宽度：	6 mm
Base Number Matches：	1

M24L48512DA-60BIG 数据手册

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ESMT

M24L48512DA

PSRAM

4-Mbit (512K x 8)

Pseudo Static RAM

Features

Enable ( WE )inputs LOW and Chip Enable Two (CE2) input

HIGH. Data on the eight I/O pins (I/O₀through I/O₁₅) is then

written into the location specified on the address pins (A₀

through A₁₈).

• Advanced low power architecture

• High speed: 55 ns, 60 ns and 70 ns

• Wide voltage range: 2.7V to 3.6V

• Typical active current: 1mA @ f = 1 MHz

• Low standby power

Reading from the device is accomplished by asserting the

Chip Enable One ( CE1) and Output Enable ( OE ) inputs LOW

while forcing Write Enable ( WE ) HIGH and Chip Enable

Two(CE2) HIGH. Under these conditions, the contents of the

memory location specified by the address pins will appear on

the I/O pins.

• Automatic power-down when deselected

Functional Description

The eight input/output pins (I/O₀through I/O₇) are placed in a

The M24L48512DA is a high-performance CMOS pseudo

static RAM (PSRAM) organized as 512K words by 8 bits. Easy

memory expansion is provided by an active LOW Chip

high-impedance state when the device is deselected CE1

HIGH or CE2 LOW), the outputs are disabled ( OE HIGH), or

Enable( CE1), an active HIGH Chip Enable (CE2), and active

during write operation ( CE1 LOW, CE2 HIGH, and WE

LOW).See the Truth Table for a complete description of read

and write modes.

LOW Output Enable ( OE ).This device has an automatic

power-down feature that reduces power consumption

dramatically when deselected. Writing to the device is

accomplished by taking Chip Enable One ( CE1) and Write

Logic Block Diagram

Elite Semiconductor Memory Technology Inc.

Publication Date : Jul. 2008

Revision : 1.1

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