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M24L28256SA-55BIG

更新时间： 2024-09-24 05:44:55
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晶豪 - ESMT /
页数 文件大小 规格书
12页 243K
描述
2-Mbit (256K x 8) Pseudo Static RAM

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M24L28256SA-55BIG 技术参数

生命周期：Contact Manufacturer零件包装代码：BGA
包装说明：VFBGA,针数：36
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：3A991.B.2.A
HTS代码：8542.32.00.41风险等级：5.79
最长访问时间：55 nsJESD-30 代码：R-PBGA-B36
长度：8 mm内存密度：2097152 bit
内存集成电路类型：PSEUDO STATIC RAM内存宽度：8
功能数量：1端子数量：36
字数：262144 words字数代码：256000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C组织：256KX8
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：VFBGA
封装形状：RECTANGULAR封装形式：GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH
并行/串行：PARALLEL认证状态：Not Qualified
座面最大高度：1 mm最大供电电压 (Vsup)：3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：2.7 V标称供电电压 (Vsup)：3 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：INDUSTRIAL端子形式：BALL
端子节距：0.75 mm端子位置：BOTTOM
宽度：6 mmBase Number Matches：1

M24L28256SA-55BIG 数据手册

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ESMT  
M24L28256SA  
PSRAM  
2-Mbit (256K x 8)  
Pseudo Static RAM  
Features  
the device is accomplished by asserting Chip Enable ( CE )  
•Advanced low-power architecture  
•High speed: 55 ns, 70 ns  
•Wide voltage range: 2.7V to 3.6V  
•Typical active current: 1 mA @ f = 1 MHz  
•Low standby power  
and Write Enable ( WE ) inputs LOW .Data on the eight I/O  
pins(I/O0 through I/O7) is then written into the location  
specified on the address pins (A0 through A17).  
Reading from the device is accomplished by asserting the  
Chip Enable One ( CE ) and Output Enable ( OE ) inputs LOW  
•Automatic power-down when deselected  
while forcing Write Enable ( WE ) HIGH. Under these  
conditions, the contents of the memory location specified by  
the address pins will appear on the I/O pins.  
Functional Description  
The eight input/output pins (I/O0 through I/O7) are placed in a  
The M24L28256SA is a high-performance CMOS pseudo  
static RAM (PSRAM) organized as 256K words by 8 bits.  
Easy memory expansion is provided by an active LOW Chip  
high-impedance state when the device is deselected ( CE  
HIGH ), the outputs are disabled ( OE HIGH), or during write  
Enable( CE ) and active LOW Output Enable ( OE ).This  
device has an automatic power-down feature that reduces  
power consumption dramatically when deselected. Writing to  
operation ( CE LOW and WE LOW). See the Truth Table  
for a complete description of read and write modes.  
Logic Block Diagram  
Elite Semiconductor Memory Technology Inc.  
Publication Date : Jul. 2008  
Revision : 1.1  
1/12  
1234567...12

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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