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M24C32-WDW6TG/T PDF预览

M24C32-WDW6TG/T

更新时间： 2024-11-20 15:44:23
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器时钟光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
41页 718K
描述
I2C/2-WIRE SERIAL EEPROM

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M24C32-WDW6TG/T 技术参数

生命周期：Not Recommended包装说明：TSSOP-8
Reach Compliance Code：compliant风险等级：5.56
最大时钟频率 (fCLK)：1 MHzJESD-30 代码：R-PDSO-G8
长度：4.4 mm内存密度：32768 bit
内存集成电路类型：EEPROM内存宽度：8
功能数量：1端子数量：8
字数：4096 words字数代码：4000
工作模式：SYNCHRONOUS最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C组织：4KX8
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：TSSOP
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
并行/串行：SERIAL座面最大高度：1.2 mm
串行总线类型：I2C最大供电电压 (Vsup)：5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：2.5 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：INDUSTRIAL
端子形式：GULL WING端子节距：0.65 mm
端子位置：DUAL宽度：3 mm
最长写入周期时间 (tWC)：5 msBase Number Matches：1

M24C32-WDW6TG/T 数据手册

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M24C32-W M24C32-R M24C32-F  
M24C32-X M24C32-DF  
32-Kbit serial I²C bus EEPROM  
Datasheet - production data  
Features  
2
• Compatible with all I C bus modes:  
– 1 MHz  
– 400 kHz  
– 100 kHz  
TSSOP8 (DW)  
169 mil width  
• Memory array:  
– 32Kbit (4 Kbytes) of EEPROM  
– Page size: 32 bytes  
– Additional Write lockable page  
(M24C32-D order codes)  
• Single supply voltage:  
– 1.7 V to 5.5 V over –40 °C / +85 °C  
SO8 (MN)  
150 mil width  
– 1.6 V to 5.5 V over –20 °C / +85 °C  
• Write:  
– Byte Write within 5 ms (10 ms when  
V
= 1.6 V)  
CC  
– Page Write within 5 ms (10 ms when  
= 1.6 V)  
V
CC  
• Random and sequential Read modes  
• Write protect of the whole memory array  
• Enhanced ESD/Latch-Up protection  
• More than 4 million Write cycles  
PDIP8 (BN)  
• More than 200-year data retention  
Packages  
UFDFPN8  
(MC)  
®
• PDIP8 ECOPACK1  
®
• SO8 ECOPACK2  
®
• TSSOP8 ECOPACK2  
®
• UFDFPN8 ECOPACK2  
®
• UFDFPN5 ECOPACK2  
UFDFPN5  
(MH)  
May 2014  
DocID4578 Rev 22  
1/41  
This is information on a product in full production.  
www.st.com  
1234567...41

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
M24C32-WDW6TGB STMICROELECTRONICS

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 		暂无描述
M24C32-WDW6TGP STMICROELECTRONICS

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