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M24C08RMN1

更新时间: 2024-11-21 20:10:31
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意法半导体 - STMICROELECTRONICS 可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器时钟光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
17页 342K
描述
8KX1 I2C/2-WIRE SERIAL EEPROM, PDSO8, 0.150 INCH, PLASTIC, SO-8

M24C08RMN1 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:SOIC包装说明:0.150 INCH, PLASTIC, SO-8
针数:8Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8542.32.00.51
风险等级:5.67最大时钟频率 (fCLK):0.1 MHz
数据保留时间-最小值:40耐久性:1000000 Write/Erase Cycles
I2C控制字节:1010DMMRJESD-30 代码:R-PDSO-G8
JESD-609代码:e4长度:4.9 mm
内存密度:8192 bit内存集成电路类型:EEPROM
内存宽度:1功能数量:1
端子数量:8字数:8192 words
字数代码:8000工作模式:SYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:8KX1输出特性:OPEN-DRAIN
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:SOP
封装等效代码:SOP8,.25封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE并行/串行:SERIAL
峰值回流温度(摄氏度):260电源:2/5 V
认证状态:Not Qualified座面最大高度:1.75 mm
串行总线类型:I2C最大待机电流:3e-7 A
子类别:EEPROMs最大压摆率:0.0008 mA
最大供电电压 (Vsup):5.5 V最小供电电压 (Vsup):1.8 V
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子面层:Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)端子形式:GULL WING
端子节距:1.27 mm端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED宽度:3.9 mm
最长写入周期时间 (tWC):5 ms写保护:HARDWARE
Base Number Matches:1

M24C08RMN1 数据手册

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