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M24C02-RMB3T

更新时间： 2024-09-14 23:05:23

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意法半导体 - STMICROELECTRONICS		存储内存集成电路光电二极管双倍数据速率可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器
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29页	484K
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16Kbit, 8Kbit, 4Kbit, 2Kbit and 1Kbit Serial I2C Bus EEPROM

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M24C02-RMB3T 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
Reach Compliance Code：	not_compliant	风险等级：	5.92
数据保留时间-最小值：	40	耐久性：	1000000 Write/Erase Cycles
I2C控制字节：	1010DDDR	JESD-30 代码：	R-PDSO-N8
内存密度：	2048 bit	内存集成电路类型：	EEPROM
内存宽度：	8	端子数量：	8
字数：	256 words	字数代码：	256
最高工作温度：	125 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	256X8	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	SON	封装等效代码：	SOLCC8,.11,20
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
并行/串行：	SERIAL	电源：	2/5 V
认证状态：	Not Qualified	筛选级别：	AEC-Q100
串行总线类型：	I2C	最大待机电流：	0.000001 A
子类别：	EEPROMs	最大压摆率：	0.0008 mA
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	AUTOMOTIVE	端子形式：	NO LEAD
端子节距：	0.5 mm	端子位置：	DUAL
写保护：	HARDWARE	Base Number Matches：	1

M24C02-RMB3T 数据手册

M24C16, M24C08

M24C04, M24C02, M24C01

16Kbit, 8Kbit, 4Kbit, 2Kbit and 1Kbit Serial I²C Bus EEPROM

FEATURES SUMMARY

■

Two Wire I C Serial Interface

Supports 400kHz Protocol

Figure 1. Packages

■

Single Supply Voltage:

–

4.5 to 5.5V for M24Cxx

2.5 to 5.5V for M24Cxx-W

1.8 to 5.5V for M24Cxx-R

■

Write Control Input

BYTE and PAGE WRITE (up to 16 Bytes)

RANDOM and SEQUENTIAL READ Modes

Self-Timed Programming Cycle

Automatic Address Incrementing

Enhanced ESD/Latch-Up Behavior

More than 1 Million Erase/Write Cycles

More than 40 Year Data Retention

PDIP8 (BN)

SO8 (MN)

150 mil width

TSSOP8 (DW)

169 mil width

TSSOP8 (DS)

3x3mm² body size (MSOP)

UFDFPN8 (MB)

2x3mm² (MLP)

March 2004

1/29

12 3 4 5 6 7...29

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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