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M24C01-RBN6

更新时间： 2024-02-12 06:00:14

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意法半导体 - STMICROELECTRONICS		存储内存集成电路光电二极管双倍数据速率可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器时钟
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16Kbit, 8Kbit, 4Kbit, 2Kbit and 1Kbit Serial I2C Bus EEPROM

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M24C01-RBN6 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	DIP,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.82
最大时钟频率 (fCLK)：	0.4 MHz	JESD-30 代码：	R-PDIP-T8
长度：	9.27 mm	内存密度：	1024 bit
内存集成电路类型：	EEPROM	内存宽度：	8
功能数量：	1	端子数量：	8
字数：	128 words	字数代码：	128
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	组织：	128X8
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	DIP
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
并行/串行：	SERIAL	座面最大高度：	5.33 mm
串行总线类型：	SPI	最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	1.8 V	表面贴装：	NO
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子节距：	2.54 mm
端子位置：	DUAL	宽度：	7.62 mm
最长写入周期时间 (tWC)：	5 ms

M24C01-RBN6 数据手册

M24C16, M24C08

M24C04, M24C02, M24C01

16Kbit, 8Kbit, 4Kbit, 2Kbit and 1Kbit Serial I²C Bus EEPROM

FEATURES SUMMARY

■

Two-Wire I²C Serial Interface

Figure 1. Packages

Supports 400kHz Protocol

■

Single Supply Voltage:

–

2.5 to 5.5V for M24Cxx-W

1.8 to 5.5V for M24Cxx-R

■

Write Control Input

BYTE and PAGE WRITE (up to 16 Bytes)

RANDOM and SEQUENTIAL READ Modes

Self-Timed Programming Cycle

Automatic Address Incrementing

Enhanced ESD/Latch-Up Protection

More than 1 Million Erase/Write Cycles

More than 40-Year Data Retention

Packages

PDIP8 (BN)

–

ECOPACK® (RoHS compliant)

SO8 (MN)

150 mil width

Table 1. Product List

Reference

Part Number

M24C16-W

M24C16

M24C08

M24C04

M24C02

M24C01

M24C16-R

M24C08-W

M24C08-R

M24C04-W

M24C04-R

M24C02-W

M24C02-R

M24C01-W

M24C01-R

TSSOP8 (DW)

169 mil width

TSSOP8 (DS)

3x3mm² body size (MSOP)

UFDFPN8 (MB)

2x3mm² (MLP)

October 2005

1/25

12 3 4 5 6 7...25

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
M24C01-RBN6/S	STMICROELECTRONICS	16Kbit, 8Kbit, 4Kbit, 2Kbit and 1Kbit Serial I2C Bus EEPROM	获取价格
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M24C01-RBN6G	STMICROELECTRONICS	16Kbit, 8Kbit, 4Kbit, 2Kbit and 1Kbit Serial I2C Bus EEPROM	获取价格
M24C01-RBN6G/S	STMICROELECTRONICS	16Kbit, 8Kbit, 4Kbit, 2Kbit and 1Kbit Serial I2C Bus EEPROM	获取价格
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