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Datasheet > 存储 > EEPROM> M24C01-BN3T/G
M24C01-BN3T/G PDF预览

M24C01-BN3T/G

更新时间： 2024-11-12 22:14:47
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器
页数 文件大小 规格书
29页 484K
描述
16Kbit, 8Kbit, 4Kbit, 2Kbit and 1Kbit Serial I2C Bus EEPROM

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M24C01-BN3T/G 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：DIP包装说明：DIP,
针数：8Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.32.00.51
风险等级：5.82最大时钟频率 (fCLK)：0.4 MHz
JESD-30 代码：R-PDIP-T8JESD-609代码：e3
长度：9.27 mm内存密度：1024 bit
内存集成电路类型：EEPROM内存宽度：8
功能数量：1端子数量：8
字数：128 words字数代码：128
工作模式：SYNCHRONOUS最高工作温度：125 °C
最低工作温度：-40 °C组织：128X8
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：DIP
封装形状：RECTANGULAR封装形式：IN-LINE
并行/串行：SERIAL峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
认证状态：Not Qualified座面最大高度：5.33 mm
串行总线类型：I2C最大供电电压 (Vsup)：5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：4.5 V标称供电电压 (Vsup)：5 V
表面贴装：NO技术：CMOS
温度等级：AUTOMOTIVE端子面层：MATTE TIN
端子形式：THROUGH-HOLE端子节距：2.54 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
宽度：7.62 mm最长写入周期时间 (tWC)：10 ms

M24C01-BN3T/G 数据手册

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M24C16, M24C08  
M24C04, M24C02, M24C01  
16Kbit, 8Kbit, 4Kbit, 2Kbit and 1Kbit Serial I²C Bus EEPROM  
FEATURES SUMMARY  
2
■
Two Wire I C Serial Interface  
Supports 400kHz Protocol  
Figure 1. Packages  
■
Single Supply Voltage:  
–
–
–
4.5 to 5.5V for M24Cxx  
2.5 to 5.5V for M24Cxx-W  
1.8 to 5.5V for M24Cxx-R  
8
■
■
■
■
■
■
■
■
Write Control Input  
BYTE and PAGE WRITE (up to 16 Bytes)  
RANDOM and SEQUENTIAL READ Modes  
Self-Timed Programming Cycle  
Automatic Address Incrementing  
Enhanced ESD/Latch-Up Behavior  
More than 1 Million Erase/Write Cycles  
More than 40 Year Data Retention  
1
PDIP8 (BN)  
8
1
SO8 (MN)  
150 mil width  
TSSOP8 (DW)  
169 mil width  
TSSOP8 (DS)  
3x3mm² body size (MSOP)  
UFDFPN8 (MB)  
2x3mm² (MLP)  
March 2004  
1/29  
1234567...29

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M24C01-BN3T/G 替代型号

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