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M1N5711 PDF预览

M1N5711

更新时间： 2024-09-23 19:14:27
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 二极管
页数 文件大小 规格书
3页 61K
描述
Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, Silicon, DO-35, HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2

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M1N5711 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：DO-35
包装说明：O-LALF-W2针数：2
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.84其他特性：METALLURGICALLY BONDED
外壳连接：ISOLATED配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码：DO-35JESD-30 代码：O-LALF-W2
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：2封装主体材料：GLASS
封装形状：ROUND封装形式：LONG FORM
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
技术：SCHOTTKY端子面层：TIN LEAD
端子形式：WIRE端子位置：AXIAL
Base Number Matches：1

M1N5711 数据手册

 浏览型号M1N5711的Datasheet PDF文件第2页浏览型号M1N5711的Datasheet PDF文件第3页 
TECHNICAL DATA SHEET  
6 Lake Street, Lawrence, MA 01844  
1-800-446-1158 / (978) 794-1666 / Fax: (978) 689-0803  
Website: http: //www.microsemi.com  
SCHOTTKY BARRIER – LOW REVERSE LEAKAGE CHARACTERISTICS  
DIODES  
– METALLURGICALLY BONDED  
Qualified per MIL-PRF-19500/444  
DEVICES  
LEVELS  
JAN  
JANTX  
1N5711-1  
1N5712-1  
1N6857-1  
1N6858-1  
*DSB2810  
*DSB5712  
*1N5711  
JANTXV  
* These devices are only available as Commercial Level Product.  
*COMMERCIAL  
MAXIMUM RATING AT 25°C  
Operating Temperature:  
Storage Temperature:  
Operating Current:  
-65°C to +150°C  
-65°C to +150°C  
5711 types  
2810, 5712 & 6858 types  
6857 type  
:33mA dc @ TL = +130°C, L = 3/8”  
:75mA dc @ TL = +110°C, L = 3/8”  
:75mA dc @ TL = +70°C, L = 3/8”  
Derate to 0 (zero) mA @ +150°C  
Derating:  
all types:  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25°C, unless otherwise specified)  
MAXIMUM  
CAPACITANCE @  
MINIMUM  
BEAKDOWN  
VOLTAAGE  
MAXIMUM  
FORWARD  
VOLTAGE  
MAXIMUM  
FORWARD  
VOLTAGE  
MAXIMUM REVERSE  
LEAKAGE CURRENT  
ESDS  
CLASS  
TYPE  
NUMBER  
VR = 0 VOLTS  
f = 1.0MHz  
VF @ 1mA  
VOLTS  
0.41  
VF @ IF  
MILLIAMPS  
1.0 @ 35  
IR @ VR  
CT  
VBR @ 10μA  
VOLTS  
nA  
VOLTS  
15  
PICO FARADS  
DO-35  
DSB2810  
1N5711, -1  
DSB5712  
1N5712-1  
1N6857-1  
1N6858-1  
20  
70  
20  
20  
20  
70  
100  
200  
150  
150  
150  
200  
2.0  
2.0  
2.0  
2.0  
4.5  
4.5  
1
1
1
1
2
2
0.41  
1.0 @ 15  
50  
0.41  
1.0 @ 35  
16  
0.41  
1.0 @ 35  
16  
0.35  
0.75 @ 35  
0.65 @ 15  
16  
0.36  
50  
LDS-0040 Rev. 2 (101097)  
Page 1 of 3  
123

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与M1N5711相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
M1N643 MICROSEMI

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 		0.04A, 175V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35,
M1N9 ETC

获取价格

 		MEDIUM CURRENT SILICON RECTIFIERS
M1P1 ETC

获取价格

 		MEDIUM CURRENT SILICON RECTIFIERS
M1P5 ETC

获取价格

 		MEDIUM CURRENT SILICON RECTIFIERS
M1P9 ETC

获取价格

 		MEDIUM CURRENT SILICON RECTIFIERS
M1P-L67201L-55/883 TEMIC

获取价格

 		FIFO, 512X9, 55ns, Asynchronous, CMOS, CDIP28, 0.300 INCH, CERAMIC, DIP-28
M1P-L67201L-60/883 TEMIC

获取价格

 		FIFO, 512X9, 60ns, Asynchronous, CMOS, CDIP28, 0.300 INCH, CERAMIC, DIP-28
M1P-L67201L-65/883 TEMIC

获取价格

 		FIFO, 512X9, 65ns, Asynchronous, CMOS, CDIP28, 0.300 INCH, CERAMIC, DIP-28
M1P-L67201V-55/883 TEMIC

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 		FIFO, 512X9, 55ns, Asynchronous, CMOS, CDIP28, 0.300 INCH, CERAMIC, DIP-28
M1P-L67201V-60/883 TEMIC

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