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Datasheet > 二极管 > 整流二极管> M1MA174T1G
M1MA174T1G PDF预览

M1MA174T1G

更新时间： 2024-09-23 13:09:55
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 二极管开关
页数 文件大小 规格书
8页 60K
描述
Switching Diode 80V, SC-70 (SOT-323) 3 LEAD, 3000-REEL

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M1MA174T1G 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：End Of Life
零件包装代码：SC-70包装说明：CASE 419-04, SC-70, 3 PIN
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.70
风险等级：5.53配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：1 VJESD-30 代码：R-PDSO-G3
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
最大非重复峰值正向电流：0.5 A元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
最大输出电流：0.2 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260最大功率耗散：0.2 W
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：100 V
最大反向恢复时间：0.004 µs子类别：Rectifier Diodes
表面贴装：YES端子面层：Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：40Base Number Matches：1

M1MA174T1G 数据手册

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M1MA174T1  
Preferred Device  
Silicon Switching Diode  
MAXIMUM RATINGS  
Rating  
Symbol  
Value  
100  
Unit  
V
Continuous Reverse Voltage  
Recurrent Peak Forward Current  
V
R
http://onsemi.com  
I
F
200  
mA  
mA  
Peak Forward Surge Current  
Pulse Width = 10 µs  
I
500  
FM(surge)  
3
CATHODE  
1
ANODE  
Total Power Dissipation,  
One Diode Loaded  
P
D
200  
1.6  
mW  
T
A
= 25°C  
Derate above 25°C  
mW/°C  
3
Mounted on a Ceramic Substrate  
(10 x 8 x 0.6 mm)  
Operating and Storage Junction  
Temperature Range  
T , T  
–55 to  
+150  
°C  
J
stg  
1
2
SC–70/SOT–323  
CASE 419  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
Symbol  
Max  
Unit  
STYLE 2  
Thermal Resistance,  
Junction to Ambient  
One Diode Loaded  
Mounted on a Ceramic Substrate  
(10 x 8 x 0.6 mm)  
R
0.625  
°C/mW  
θJA  
MARKING DIAGRAM  
J6 M  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25°C unless otherwise noted)  
A
Characteristic  
Symbol  
Min  
Max  
Unit  
Reverse Breakdown Voltage  
(I = 100 µAdc)  
R
V
(BR)  
100  
–
Vdc  
J6 = Device Code  
M
= Date Code  
Reverse Voltage Leakage Current  
I
R
(V = 20 Vdc)  
–
–
25  
5.0  
nAdc  
µAdc  
R
(V = 75 Vdc)  
R
ORDERING INFORMATION  
Diode Capacitance  
(V = 0, f = 1.0 MHz)  
R
C
V
–
–
–
4.0  
1.0  
4.0  
pF  
Vdc  
ns  
T
Device  
M1MA174T1  
Package  
Shipping  
3000/Tape & Reel  
Forward Voltage  
(I = 10 mAdc)  
F
F
SC–70  
Reverse Recovery Time  
t
rr  
(I = I = 10 mAdc) (Figure 1)  
Preferred devices are recommended choices for future use  
and best overall value.  
F
R
Semiconductor Components Industries, LLC, 2001  
1
Publication Order Number:  
November, 2001 – Rev. 1  
M1MA174T1/D  
12345678

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M1MA174T1G 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
M1MA174T1 ONSEMI

完全替代

 Silicon Switching Diode
M1MA142WAT1G ONSEMI

功能相似

 Common Anode Silicon Dual Switching Diode
M1MA142KT1 ONSEMI

功能相似

 SC-70/SOT-323 PACKAGE SINGLE SILICON SWITCHING DIODE 40/80 V-100 mA SURFACE MOUNT

与M1MA174T1G相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
M1MAWAT1 LRC

获取价格

 		Common Anode Silicon Dual Switching diodes
M1N1 ETC

获取价格

 		MEDIUM CURRENT SILICON RECTIFIERS
M1N5 ETC

获取价格

 		MEDIUM CURRENT SILICON RECTIFIERS
M1N5711 MICROSEMI

获取价格

 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, Silicon, DO-35, HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2
M1N643 MICROSEMI

获取价格

 		0.04A, 175V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35,
M1N9 ETC

获取价格

 		MEDIUM CURRENT SILICON RECTIFIERS
M1P1 ETC

获取价格

 		MEDIUM CURRENT SILICON RECTIFIERS
M1P5 ETC

获取价格

 		MEDIUM CURRENT SILICON RECTIFIERS
M1P9 ETC

获取价格

 		MEDIUM CURRENT SILICON RECTIFIERS
M1P-L67201L-55/883 TEMIC

获取价格

 		FIFO, 512X9, 55ns, Asynchronous, CMOS, CDIP28, 0.300 INCH, CERAMIC, DIP-28

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