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M14D5121632A-3BG

更新时间： 2024-02-09 10:17:37

品牌	Logo	应用领域
晶豪 - ESMT		动态存储器双倍数据速率
页数	文件大小	规格书
59页	975K
描述
8M x 16 Bit x 4 Banks DDR II SDRAM

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M14D5121632A-3BG 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	零件包装代码：	BGA
包装说明：	TFBGA,	针数：	84
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.28	风险等级：	5.13
Is Samacsys：	N	访问模式：	FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间：	0.45 ns	其他特性：	AUTO/SELF REFRESH
JESD-30 代码：	R-PBGA-B84	长度：	12.5 mm
内存密度：	536870912 bit	内存集成电路类型：	DDR DRAM
内存宽度：	16	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	84
字数：	33554432 words	字数代码：	32000000
工作模式：	SYNCHRONOUS	组织：	32MX16
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TFBGA
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	1.2 mm
自我刷新：	YES	最大供电电压 (Vsup)：	1.9 V
最小供电电压 (Vsup)：	1.7 V	标称供电电压 (Vsup)：	1.8 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
端子形式：	BALL	端子节距：	0.8 mm
端子位置：	BOTTOM	宽度：	10 mm
Base Number Matches：	1

M14D5121632A-3BG 数据手册

ESMT

M14D5121632A

8M x 16 Bit x 4 Banks

DDR II SDRAM

Features

JEDEC Standard

V_DD= 1.8V ± 0.1V, V_DDQ= 1.8V ± 0.1V

Internal pipelined double-data-rate architecture; two data access per clock cycle

Bi-directional differential data strobe (DQS, /DQS); /DQS can be disabled for single-ended data strobe operation.

On-chip DLL

Differential clock inputs (CLK and CLK )

DLL aligns DQ and DQS transition with CLK transition

Quad bank operation

CAS Latency : 3, 4, 5, 6

Additive Latency: 0, 1, 2, 3, 4

Burst Type : Sequential and Interleave

Burst Length : 4, 8

All inputs except data & DM are sampled at the rising edge of the system clock(CLK)

Data I/O transitions on both edges of data strobe (DQS)

DQS is edge-aligned with data for READ; center-aligned with data for WRITE

Data mask (DM) for write masking only

Off-Chip-Driver (OCD) impedance adjustment

On-Die-Termination for better signal quality

Special function support

50/ 75/ 150 ohm ODT

High Temperature Self refresh rate enable

Auto & Self refresh

Refresh cycle :

8192 cycles/64ms (7.8μs refresh interval) at 0 ℃ ≦ T_C≦ +85 ℃

8192 cycles/32ms (3.9μs refresh interval) at +85 ℃ ＜ T_C≦ +95 ℃

SSTL_18 interface

84-ball BGA package

Ordering Information:

Data rate

PRODUCT NO.

MAX FREQ

VDD

PACKAGE COMMENTS

(CL-tRCD-tRP)

DDR2-800 (5-5-5)

DDR2-800 (6-6-6)

DDR2-667 (5-5-5)

M14D5121632A -2.5BG

M14D5121632A -3BG

400MHz

333MHz

1.8V

BGA

Pb-free

Elite Semiconductor Memory Technology Inc.

Publication Date : Feb. 2009

Revision : 1.1 1/59

12 3 4 5 6 7...59

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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M14-SERIES	ETC	获取价格	Interface IC
M1500	MICROESYS	获取价格	Mercury TM1500 Digital Output Encoder Systems
M1500P	MICROESYS	获取价格	Mercury TM1500P PCB-Mount Digital Encoders Fa
M1502NC200	IXYS	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1502A, 2000V V(RRM), Silicon,
M1502NC200	LITTELFUSE	获取价格	这些部件尤其适合用作门极可关断晶闸管和快速晶闸管中使用的反向并联二极管，以及用作斩波器的二
M1502NC220	IXYS	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1502A, 2200V V(RRM), Silicon,
M1502NC240	IXYS	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1502A, 2400V V(RRM), Silicon,
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