是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Contact Manufacturer |
包装说明: | TFBGA, | Reach Compliance Code: | unknown |
风险等级: | 5.61 | 访问模式: | FOUR BANK PAGE BURST |
最长访问时间: | 0.4 ns | 其他特性: | AUTO/SELF REFRESH |
JESD-30 代码: | R-PBGA-B84 | 长度: | 12.5 mm |
内存密度: | 536870912 bit | 内存集成电路类型: | DDR DRAM |
内存宽度: | 16 | 功能数量: | 1 |
端口数量: | 1 | 端子数量: | 84 |
字数: | 33554432 words | 字数代码: | 32000000 |
工作模式: | SYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 85 °C |
最低工作温度: | -40 °C | 组织: | 32MX16 |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | TFBGA |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 座面最大高度: | 1.2 mm |
自我刷新: | YES | 最大供电电压 (Vsup): | 1.9 V |
最小供电电压 (Vsup): | 1.7 V | 标称供电电压 (Vsup): | 1.8 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | INDUSTRIAL | 端子形式: | BALL |
端子节距: | 0.8 mm | 端子位置: | BOTTOM |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 宽度: | 8 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
M14D5121632A-2.5BIG2K | ESMT |
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DDR DRAM, 32MX16, 0.4ns, CMOS, PBGA84, BGA-84 | |
M14D5121632A-3BG | ESMT |
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8M x 16 Bit x 4 Banks DDR II SDRAM | |
M14D5121632A-3BIG | ESMT |
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8M x 16 Bit x 4 Banks DDR II SDRAM | |
M14D5121632A-3BIG2H | ESMT |
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DDR DRAM, 32MX16, 0.45ns, CMOS, PBGA84, 8 X 12.50 MM, 1.20 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, LEAD | |
M14-SERIES | ETC |
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Interface IC | |
M1500 | MICROESYS |
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Mercury TM1500 Digital Output Encoder Systems | |
M1500P | MICROESYS |
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Mercury TM1500P PCB-Mount Digital Encoders Fa | |
M1502NC200 | IXYS |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1502A, 2000V V(RRM), Silicon, | |
M1502NC200 | LITTELFUSE |
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这些部件尤其适合用作门极可关断晶闸管和快速晶闸管中使用的反向并联二极管,以及用作斩波器的二 | |
M1502NC220 | IXYS |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1502A, 2200V V(RRM), Silicon, |