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M14D5121632A-1.8BBG2A

更新时间： 2024-02-20 08:32:54

品牌	Logo	应用领域
晶豪 - ESMT		动态存储器双倍数据速率内存集成电路
页数	文件大小	规格书
64页	1089K
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DDR DRAM, 32MX16, 0.35ns, CMOS, PBGA84, BGA-84

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M14D5121632A-1.8BBG2A 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Contact Manufacturer
包装说明：	VFBGA,	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.61	访问模式：	FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间：	0.35 ns	其他特性：	AUTO/SELF REFRESH
JESD-30 代码：	R-PBGA-B84	长度：	12.5 mm
内存密度：	536870912 bit	内存集成电路类型：	DDR DRAM
内存宽度：	16	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	84
字数：	33554432 words	字数代码：	32000000
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：		组织：	32MX16
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	VFBGA
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	座面最大高度：	1 mm
自我刷新：	YES	最大供电电压 (Vsup)：	1.9 V
最小供电电压 (Vsup)：	1.7 V	标称供电电压 (Vsup)：	1.8 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	OTHER	端子形式：	BALL
端子节距：	0.8 mm	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	宽度：	8 mm
Base Number Matches：	1

M14D5121632A-1.8BBG2A 数据手册

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ESMT

DDR II SDRAM

M14D5121632A (2A)

8M x 16 Bit x 4 Banks

DDR II SDRAM

Features

JEDEC Standard

V_DD= 1.8V ± 0.1V, V_DDQ= 1.8V ± 0.1V

Internal pipelined double-data-rate architecture; two data access per clock cycle

Bi-directional differential data strobe (DQS, DQS ); DQS can be disabled for single-ended data strobe operation.

On-chip DLL

Differential clock inputs (CLK and CLK )

DLL aligns DQ and DQS transition with CLK transition

Quad bank operation

CAS Latency : 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9

Additive Latency: 0, 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7

Burst Type : Sequential and Interleave

Burst Length : 4, 8

All inputs except data & DM are sampled at the rising edge of the system clock(CLK)

Data I/O transitions on both edges of data strobe (DQS)

DQS is edge-aligned with data for READ; center-aligned with data for WRITE

Data mask (DM) for write masking only

Off-Chip-Driver (OCD) impedance adjustment

On-Die-Termination for better signal quality

Special function support

50/ 75/ 150 ohm ODT

High Temperature Self refresh rate enable

Duty Cycle Corrector

Partial Array Self Refresh (PASR)

Auto & Self refresh

Refresh cycle :

8192 cycles/64ms (7.8μ s refresh interval) at 0 ℃ ≦ T_C≦ +85 ℃

8192 cycles/32ms (3.9μ s refresh interval) at +85 ℃ ＜ T_C≦ +95 ℃

SSTL_18 interface

If t_CK< 1.875ns, the device can not support Write with Auto Precharge function.

Elite Semiconductor Memory Technology Inc.

Publication Date : Oct. 2016

Revision : 1.0 1/64

12 3 4 5 6 7...64

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