Datasheet > 存储 > DRAM> M13S32321A-5L

M13S32321A-5L

更新时间： 2024-01-02 04:30:20

品牌	Logo	应用领域
晶豪 - ESMT		存储内存集成电路动态存储器双倍数据速率
页数	文件大小	规格书
50页	819K
描述
256K x 32 Bit x 4 Banks Double Data Rate SDRAM

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M13S32321A-5L 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	零件包装代码：	QFP
包装说明：	LQFP,	针数：	100
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.02	风险等级：	5.45
Is Samacsys：	N	访问模式：	FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间：	0.7 ns	其他特性：	AUTO/SELF REFRESH
JESD-30 代码：	R-PQFP-G100	长度：	20 mm
内存密度：	33554432 bit	内存集成电路类型：	DDR DRAM
内存宽度：	32	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	100
字数：	1048576 words	字数代码：	1000000
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	1MX32
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	LQFP
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLATPACK, LOW PROFILE
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	1.6 mm
自我刷新：	YES	最大供电电压 (Vsup)：	2.625 V
最小供电电压 (Vsup)：	2.375 V	标称供电电压 (Vsup)：	2.5 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.65 mm	端子位置：	QUAD
宽度：	14 mm	Base Number Matches：	1

M13S32321A-5L 数据手册

ESMT

DDR SDRAM

M13S32321A

256K x 32 Bit x 4 Banks

Double Data Rate SDRAM

Features

JEDEC Standard

Internal pipelined double-data-rate architecture, two data access per clock cycle

Bi-directional data strobe (DQS)

On-chip DLL

Differential clock inputs (CLK and CLK )

DLL aligns DQ and DQS transition with CLK transition

Quad bank operation

CAS Latency : 3; 4

Burst Type : Sequential and Interleave

Burst Length : 2, 4, 8

All inputs except data & DM are sampled at the rising edge of the system clock(CLK)

Data I/O transitions on both edges of data strobe (DQS)

DQS is edge-aligned with data for reads; center-aligned with data for WRITE

Data mask (DM) for write masking only

V_DD= 2.375V ~ 2.625V, V_DDQ= 2.375V ~ 2.625V

Auto & Self refresh

32ms refresh period (4K cycle)

SSTL-2 I/O interface

100pin LQFP package

Ordering Information :

PRODUCT NO.

MAX FREQ

VDD

PACKAGE

COMMENTS

M13S32321A -5L

200MHz

2.5V

100 LQFP

Pb-free

M13S32321A -6L

166MHz

2.5V

100 LQFP

Pb-free

Elite Semiconductor Memory Technology Inc.

Publication Date : Jul. 2008

Revision : 1.1 1/50

12 3 4 5 6 7...50

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M13S5121632A-4TG2R	ESMT	获取价格	DDR DRAM, 32MX16, 0.7ns, CMOS, PDSO66, 0.400 X 0.875 INCH, 0.65 MM PITCH, LEAD FREE, TSOP2
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M13S5121632A-5TG2A	ESMT	获取价格	DDR DRAM, 32MX16, 0.7ns, CMOS, PDSO66, 0.400 X 0.875 INCH, 0.65 MM PITCH, LEAD FREE, TSOP2
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