Datasheet > 存储 > DRAM> M13S2561616A-6BG

M13S2561616A-6BG

更新时间： 2024-09-26 05:44:31

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晶豪 - ESMT		存储内存集成电路动态存储器双倍数据速率
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49页	1315K
描述
4M x 16 Bit x 4 Banks Double Data Rate SDRAM

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M13S2561616A-6BG 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	零件包装代码：	BGA
包装说明：	TFBGA,	针数：	60
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.24	风险等级：	5.35
Is Samacsys：	N	访问模式：	FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间：	0.75 ns	其他特性：	AUTO/SELF REFRESH
JESD-30 代码：	R-PBGA-B60	长度：	13 mm
内存密度：	268435456 bit	内存集成电路类型：	DDR DRAM
内存宽度：	16	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	60
字数：	16777216 words	字数代码：	16000000
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	16MX16
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TFBGA
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	1.2 mm
自我刷新：	YES	最大供电电压 (Vsup)：	2.7 V
最小供电电压 (Vsup)：	2.3 V	标称供电电压 (Vsup)：	2.5 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子形式：	BALL
端子节距：	0.8 mm	端子位置：	BOTTOM
宽度：	8 mm	Base Number Matches：	1

M13S2561616A-6BG 数据手册

ESMT

DDR SDRAM

M13S2561616A

4M x 16 Bit x 4 Banks

Double Data Rate SDRAM

Features

JEDEC Standard

Internal pipelined double-data-rate architecture, two data access per clock cycle

Bi-directional data strobe (DQS)

On-chip DLL

Differential clock inputs (CLK and CLK )

DLL aligns DQ and DQS transition with CLK transition

Quad bank operation

CAS Latency : 2; 2.5; 3

Burst Type : Sequential and Interleave

Burst Length : 2, 4, 8

All inputs except data & DM are sampled at the rising edge of the system clock(CLK)

Data I/O transitions on both edges of data strobe (DQS)

DQS is edge-aligned with data for reads; center-aligned with data for WRITE

Data mask (DM) for write masking only

V_DD= 2.3V ~ 2.7V, V_DDQ= 2.3V ~ 2.7V

V_DD= 2.4V ~ 2.8V, V_DDQ= 2.4V ~ 2.8V (for speed -4)

Auto & Self refresh

7.8us refresh interval

SSTL-2 I/O interface

66pin TSOPII and 60 Ball BGA package

Ordering Information:

PRODUCT NO.

MAX FREQ

250MHz

200MHz

166MHz

250MHz

200MHz

166MHz

VDD

PACKAGE

COMMENTS

M13S2561616A -4TG

M13S2561616A -5TG

M13S2561616A -6TG

M13S2561616A -4BG

M13S2561616A -5BG

M13S2561616A -6BG

2.6V

TSOPII

2.5V

2.6V

2.5V

Pb-free

BGA

Elite Semiconductor Memory Technology Inc.

Publication Date : Sep. 2009

Revision : 2.0 1/49

12 3 4 5 6 7...49

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M13S2561616A-6BIG	ESMT	获取价格	4M x 16 Bit x 4 Banks Double Data Rate SDRAM
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M13S2561616A-6BIG2K	ESMT	获取价格	DDR DRAM, 16MX16, 0.7ns, CMOS, PBGA60, 8 X 13 MM, 1.20 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE
M13S2561616A-6BIG2S	ESMT	获取价格	DDR DRAM, 16MX16, 0.7ns, CMOS, PBGA60, 8 X 13 MM, 1 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, B
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