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M13S2561616A-5TIG

更新时间: 2024-01-05 04:01:57
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晶豪 - ESMT 动态存储器双倍数据速率
页数 文件大小 规格书
49页 1315K
描述
4M x 16 Bit x 4 Banks Double Data Rate SDRAM

M13S2561616A-5TIG 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:TSOP2
包装说明:TSSOP,针数:66
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.24风险等级:5.61
访问模式:FOUR BANK PAGE BURST最长访问时间:0.75 ns
其他特性:AUTO/SELF REFRESHJESD-30 代码:R-PDSO-G66
长度:22.22 mm内存密度:268435456 bit
内存集成电路类型:DDR DRAM内存宽度:16
功能数量:1端口数量:1
端子数量:66字数:16777216 words
字数代码:16000000工作模式:SYNCHRONOUS
最高工作温度:85 °C最低工作温度:-40 °C
组织:16MX16封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:TSSOP封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE认证状态:Not Qualified
座面最大高度:1.2 mm自我刷新:YES
最大供电电压 (Vsup):2.7 V最小供电电压 (Vsup):2.3 V
标称供电电压 (Vsup):2.5 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:INDUSTRIAL
端子形式:GULL WING端子节距:0.65 mm
端子位置:DUAL宽度:10.16 mm
Base Number Matches:1

M13S2561616A-5TIG 数据手册

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ESMT  
M13S2561616A  
Operation Temperature Condition -40~85°C  
Revision History  
Revision1.0 (19 Oct. 2007)  
- Original  
Revision1.1 (06 Dec. 2007)  
- Add BGA package  
Elite Semiconductor Memory Technology Inc.  
Publication Date : Dec. 2007  
Revision : 1.1  
1/49  

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