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M13S2561616A-5TG

更新时间: 2024-09-26 04:19:15
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晶豪 - ESMT 动态存储器双倍数据速率
页数 文件大小 规格书
48页 1213K
描述
4M x 16 Bit x 4 Banks Double Data Rate SDRAM

M13S2561616A-5TG 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Contact Manufacturer
零件包装代码:TSOP2包装说明:TSSOP,
针数:66Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8542.32.00.24
风险等级:5.04访问模式:FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间:0.75 ns其他特性:AUTO/SELF REFRESH
JESD-30 代码:R-PDSO-G66长度:22.22 mm
内存密度:268435456 bit内存集成电路类型:DDR DRAM
内存宽度:16功能数量:1
端口数量:1端子数量:66
字数:16777216 words字数代码:16000000
工作模式:SYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:16MX16
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:TSSOP
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED认证状态:Not Qualified
座面最大高度:1.2 mm自我刷新:YES
最大供电电压 (Vsup):2.7 V最小供电电压 (Vsup):2.3 V
标称供电电压 (Vsup):2.5 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子形式:GULL WING端子节距:0.65 mm
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
宽度:10.16 mmBase Number Matches:1

M13S2561616A-5TG 数据手册

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ESMT  
M13S2561616A  
Revision History  
Revision 0.1 (28 Apr. 2006)  
- Original  
Revision 1.0 (07 Jun. 2006)  
- Delete Preliminary at ever page  
- Revise typing error of page1  
Revision 1.1 (09 May. 2007)  
- Modify PD, DC specifications and MRS  
Revision 1.2 (12 Jun. 2007)  
- Modify tDQSS  
Revision 1.3 (13 Jul. 2007)  
- Add -4 speed grade  
Elite Semiconductor Memory Technology Inc.  
Publication Date : Jul. 2007  
Revision : 1.3  
1/48  

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