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M13S128168A-6BIG

更新时间： 2024-02-05 01:55:24

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晶豪 - ESMT		存储内存集成电路动态存储器双倍数据速率
页数	文件大小	规格书
49页	1582K
描述
2M x 16 Bit x 4 Banks Double Data Rate SDRAM

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M13S128168A-6BIG 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	零件包装代码：	TSOP2
包装说明：	TSOP2,	针数：	66
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.02	风险等级：	5.11
访问模式：	FOUR BANK PAGE BURST	最长访问时间：	0.7 ns
其他特性：	AUTO/SELF REFRESH	JESD-30 代码：	R-PDSO-G66
长度：	22.22 mm	内存密度：	134217728 bit
内存集成电路类型：	DDR DRAM	内存宽度：	16
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	66	字数：	8388608 words
字数代码：	8000000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	8MX16	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TSOP2	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	1.2 mm	自我刷新：	YES
最大供电电压 (Vsup)：	2.75 V	最小供电电压 (Vsup)：	2.375 V
标称供电电压 (Vsup)：	2.5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.65 mm
端子位置：	DUAL	宽度：	10.16 mm
Base Number Matches：	1

M13S128168A-6BIG 数据手册

ESMT

M13S128168A

Operation temperature condition -40°C~85°C

DDR SDRAM

2M x 16 Bit x 4 Banks

Double Data Rate SDRAM

Features

JEDEC Standard

Internal pipelined double-data-rate architecture, two data access per clock cycle

Bi-directional data strobe (DQS)

On-chip DLL

Differential clock inputs (CLK and CLK )

DLL aligns DQ and DQS transition with CLK transition

Quad bank operation

CAS Latency : 3

Burst Type : Sequential and Interleave

Burst Length : 2, 4, 8

All inputs except data & DM are sampled at the rising edge of the system clock(CLK)

Data I/O transitions on both edges of data strobe (DQS)

DQS is edge-aligned with data for reads; center-aligned with data for WRITE

Data mask (DM) for write masking only

V_DD= 2.375V ~ 2.75V, V_DDQ= 2.375V ~ 2.75V

Auto & Self refresh

15.6us refresh interval (64ms refresh period, 4K cycle)

SSTL-2 I/O interface

66pin TSOPII and 60 Ball BGA package

Ordering information :

PRODUCT NO.

M13S128168A -5TIG

M13S128168A -6TIG

M13S128168A -5BIG

M13S128168A -6BIG

MAX FREQ

200MHz

166MHz

200MHz

166MHz

VDD

PACKAGE

COMMENTS

Pb-free

2.5V

TSOPII

Pb-free

2.5V

BGA

Pb-free

Elite Semiconductor Memory Technology Inc.

Publication Date : Mar. 2009

Revision : 1.2 1/49

12 3 4 5 6 7...49

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
M13S128168A-6BIG2N	ESMT	获取价格	Synchronous DRAM, 8MX16, 0.7ns, CMOS, PBGA60, 8 X 13 MM, 1.20 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, LE
M13S128168A-6BVG2N	ESMT	获取价格	Synchronous DRAM, 8MX16, 0.7ns, CMOS, PBGA60, 8 X 13 MM, 1.20 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, LE
M13S128168A-6T	ESMT	获取价格	2M x 16 Bit x 4 Banks Double Data Rate SDRAM
M13S128168A-6TG	ESMT	获取价格	2M x 16 Bit x 4 Banks Double Data Rate SDRAM
M13S128168A-6TG2N	ESMT	获取价格	DDR DRAM, 8MX16, 0.7ns, CMOS, PDSO66, 0.400 X 0.875 INCH, 0.65 MM PITCH, LEAD FREE, TSOP2-
M13S128168A-6TIG	ESMT	获取价格	2M x 16 Bit x 4 Banks Double Data Rate SDRAM
M13S128168A-6TVAG2N	ESMT	获取价格	Synchronous DRAM, 8MX16, 0.7ns, CMOS, PDSO66, 0.400 X 0.875 INCH, 0.65 MM PITCH, LEAD FREE
M13S128168A-7.5AB	ESMT	获取价格	2M x 16 Bit x 4 Banks Double Data Rate SDRAM
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