Datasheet > 存储 > DRAM> M13S128168A-5TIG

M13S128168A-5TIG

更新时间： 2024-01-11 02:18:59

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晶豪 - ESMT		存储内存集成电路光电二极管动态存储器双倍数据速率
页数	文件大小	规格书
49页	1582K
描述
2M x 16 Bit x 4 Banks Double Data Rate SDRAM

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M13S128168A-5TIG 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	零件包装代码：	TSOP2
包装说明：	TSOP2,	针数：	66
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.02	风险等级：	5.11
Is Samacsys：	N	访问模式：	FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间：	0.7 ns	其他特性：	AUTO/SELF REFRESH
JESD-30 代码：	R-PDSO-G66	长度：	22.22 mm
内存密度：	134217728 bit	内存集成电路类型：	DDR DRAM
内存宽度：	16	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	66
字数：	8388608 words	字数代码：	8000000
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	组织：	8MX16
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TSOP2
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	1.2 mm
自我刷新：	YES	最大供电电压 (Vsup)：	2.75 V
最小供电电压 (Vsup)：	2.375 V	标称供电电压 (Vsup)：	2.5 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	INDUSTRIAL	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.65 mm	端子位置：	DUAL
宽度：	10.16 mm	Base Number Matches：	1

M13S128168A-5TIG 数据手册

ESMT

M13S128168A

Operation temperature condition -40°C~85°C

DDR SDRAM

2M x 16 Bit x 4 Banks

Double Data Rate SDRAM

Features

JEDEC Standard

Internal pipelined double-data-rate architecture, two data access per clock cycle

Bi-directional data strobe (DQS)

On-chip DLL

Differential clock inputs (CLK and CLK )

DLL aligns DQ and DQS transition with CLK transition

Quad bank operation

CAS Latency : 3

Burst Type : Sequential and Interleave

Burst Length : 2, 4, 8

All inputs except data & DM are sampled at the rising edge of the system clock(CLK)

Data I/O transitions on both edges of data strobe (DQS)

DQS is edge-aligned with data for reads; center-aligned with data for WRITE

Data mask (DM) for write masking only

V_DD= 2.375V ~ 2.75V, V_DDQ= 2.375V ~ 2.75V

Auto & Self refresh

15.6us refresh interval (64ms refresh period, 4K cycle)

SSTL-2 I/O interface

66pin TSOPII and 60 Ball BGA package

Ordering information :

PRODUCT NO.

M13S128168A -5TIG

M13S128168A -6TIG

M13S128168A -5BIG

M13S128168A -6BIG

MAX FREQ

200MHz

166MHz

200MHz

166MHz

VDD

PACKAGE

COMMENTS

Pb-free

2.5V

TSOPII

Pb-free

2.5V

BGA

Pb-free

Elite Semiconductor Memory Technology Inc.

Publication Date : Mar. 2009

Revision : 1.2 1/49

12 3 4 5 6 7...49

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
M13S128168A-5TIG2N	ESMT	获取价格	Synchronous DRAM, 8MX16, 0.7ns, CMOS, PDSO66, 0.400 X 0.875 INCH, 0.65 MM PITCH, LEAD FREE
M13S128168A-5TVG2N	ESMT	获取价格	Synchronous DRAM, 8MX16, 0.7ns, CMOS, PDSO66, 0.400 X 0.875 INCH, 0.65 MM PITCH, LEAD FREE
M13S128168A-6BG	ESMT	获取价格	2M x 16 Bit x 4 Banks Double Data Rate SDRAM
M13S128168A-6BG2N	ESMT	获取价格	DDR DRAM, 8MX16, 0.7ns, CMOS, PBGA60, 8 X 13 MM, 1.20 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE,
M13S128168A-6BIG	ESMT	获取价格	2M x 16 Bit x 4 Banks Double Data Rate SDRAM
M13S128168A-6BIG2N	ESMT	获取价格	Synchronous DRAM, 8MX16, 0.7ns, CMOS, PBGA60, 8 X 13 MM, 1.20 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, LE
M13S128168A-6BVG2N	ESMT	获取价格	Synchronous DRAM, 8MX16, 0.7ns, CMOS, PBGA60, 8 X 13 MM, 1.20 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, LE
M13S128168A-6T	ESMT	获取价格	2M x 16 Bit x 4 Banks Double Data Rate SDRAM
M13S128168A-6TG	ESMT	获取价格	2M x 16 Bit x 4 Banks Double Data Rate SDRAM
M13S128168A-6TG2N	ESMT	获取价格	DDR DRAM, 8MX16, 0.7ns, CMOS, PDSO66, 0.400 X 0.875 INCH, 0.65 MM PITCH, LEAD FREE, TSOP2-

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