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M13L128168A-4T

更新时间： 2024-01-08 22:38:13

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晶豪 - ESMT		时钟动态存储器双倍数据速率光电二极管内存集成电路
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48页	792K
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DDR DRAM, 8MX16, 0.6ns, CMOS, PDSO66,

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M13L128168A-4T 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	TSSOP, TSSOP66,.46
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.75
最长访问时间：	0.6 ns	最大时钟频率 (fCLK)：	250 MHz
I/O 类型：	COMMON	交错的突发长度：	2,4,8
JESD-30 代码：	R-PDSO-G66	内存密度：	134217728 bit
内存集成电路类型：	DDR DRAM	内存宽度：	16
端子数量：	66	字数：	8388608 words
字数代码：	8000000	最高工作温度：	65 °C
最低工作温度：		组织：	8MX16
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TSSOP	封装等效代码：	TSSOP66,.46
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
电源：	2.5,3.3 V	认证状态：	Not Qualified
刷新周期：	4096	连续突发长度：	2,4,8
最大待机电流：	0.06 A	子类别：	DRAMs
最大压摆率：	0.62 mA	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.635 mm
端子位置：	DUAL	Base Number Matches：	1

M13L128168A-4T 数据手册

ESMT

M13L128168A

Revision History

Revision 1.3

-Revise operation voltage. (page 5)

Revision 1.2

-Changed t_WTRfrom 1 t_CKto 2 t_CK.

Revision 1.1

-Changed absolute max. voltage (V_IN, V_OUT,V_DD,V_DDQ) from 3.6V to 4.0V

Parameter

Symbol

V_IN, V_OUT

V_DD

Value

Unit

Voltage on any pin relative to V_SS

Voltage on V_DDsupply relative to V_SS

Voltage on V_DDQsupply relative to V_SS

-0.5 ~ 4.0

-1.0 ~ 4.0

-0.5 ~ 4.0

V_DDQ

-Changed operating VDD from 3.135V~3.6V to 3.135V~3.83V

-Updated DC current specification

Revision 1.0 (21 Oct. 2002)

-No “preliminary” on title.

-Added M13L128168A-3.6T Spec.

-Changed VDDQ from 2.5V ± 5% to 2.375V ~ 2.8V

Revision 0.4 (26 Sep. 2002)

-Changed VDD from 3.3V ± 5% to 3.135V ~ 3.6V

-Changed operating temperature from 70 °C to 65°C

Revision 0.3 (11 Jul. 2002)

-Added DC Current Spec

Revision 0.2 (29 May. 2002)

-Independent of M13S128168A

Revision 0.1 (3 May. 2002)

-Original

Elite Semiconductor Memory Technology Inc.

Publication Date : Jun. 2003

Revision : 1.3

1/48

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