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M12S64322A-7BG

更新时间： 2024-02-18 14:08:54

品牌	Logo	应用领域
晶豪 - ESMT		存储内存集成电路动态存储器
页数	文件大小	规格书
46页	725K
描述
512K x 32 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM

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M12S64322A-7BG 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	零件包装代码：	BGA
包装说明：	VFBGA,	针数：	90
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.02	风险等级：	5.46
Is Samacsys：	N	访问模式：	FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间：	6 ns	其他特性：	AUTO/SELF REFRESH
JESD-30 代码：	R-PBGA-B90	长度：	13 mm
内存密度：	67108864 bit	内存集成电路类型：	SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度：	32	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	90
字数：	2097152 words	字数代码：	2000000
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	2MX32
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	VFBGA
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	1 mm
自我刷新：	YES	最大供电电压 (Vsup)：	2.7 V
最小供电电压 (Vsup)：	2.375 V	标称供电电压 (Vsup)：	2.5 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子形式：	BALL
端子节距：	0.8 mm	端子位置：	BOTTOM
宽度：	8 mm	Base Number Matches：	1

ESMT

M12S64322A

Revision History

Revision 1.0(May. 04 2007)

-Original

Elite Semiconductor Memory Technology Inc.

Publication Date: May. 2007

Revision: 1.0

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
M12S64322A-7TG	ESMT	获取价格	512K x 32 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM
M12SLS12N	WINCHESTER	获取价格	COMPOSITE OUTLINE ASSY
M12T-04BMMB-SL7002	AMPHENOL	获取价格	CONN RCPT MALE 4POS GOLD SCREW
M13	DCCOM	获取价格	TECHNICAL SPECIFICATIONS OF SURFACE MOUNT SILICON RECTIFIER
M13	EPCOS	获取价格	Ferrites and accessories
M13	MEDER	获取价格	Magnet
M13	BL Galaxy Electrical	获取价格	1A,1300V, Surface Mount Standard Recovery Rectifiers
M13_DE	MEDER	获取价格	(deutsch) Magnet
M1300	ETC	获取价格	Mini size of Discrete semiconductor elements
M130116G1014	ETC	获取价格	Compact Indoor