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M12S16161A_1

更新时间： 2024-09-26 05:44:31
品牌 Logo 应用领域
晶豪 - ESMT 动态存储器
页数 文件大小 规格书
30页 622K
描述
512K x 16Bit x 2Banks Synchronous DRAM

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M12S16161A_1 数据手册

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ESMT  
M12S16161A  
Operation Temperature Condition -40°C~85°C  
SDRAM  
512K x 16Bit x 2Banks  
Synchronous DRAM  
FEATURES  
GENERAL DESCRIPTION  
The M12S16161A is 16,777,216 bits synchronous high  
data rate Dynamic RAM organized as 2 x 524,288 words by  
16 bits, fabricated with high performance CMOS technology.  
Synchronous design allows precise cycle control with the  
use of system clock I/O transactions are possible on every  
clock cycle. Range of operating frequencies, programmable  
burst length and programmable latencies allow the same  
device to be useful for a variety of high bandwidth, high  
performance memory system applications.  
z
z
z
z
JEDEC standard 2.5V power supply  
LVTTL compatible with multiplexed address  
Dual banks operation  
MRS cycle with address key programs  
-
-
-
CAS Latency (2 & 3 )  
Burst Length (1, 2, 4, 8 & full page)  
Burst Type (Sequential & Interleave)  
z
All inputs are sampled at the positive going edge of the  
system clock  
z
z
z
z
Burst Read Single-bit Write operation  
DQM for masking  
Auto & self refresh  
ORDERING INFORMATION  
32ms refresh period (2K cycle)  
Part NO.  
MAX Freq. PACKAGE COMMENTS  
M12S16161A-6TIG  
M12S16161A-7TIG  
M12S16161A-6BIG  
M12S16161A-7BIG  
TSOP(II)  
TSOP(II)  
VFBGA  
VFBGA  
Pb-free  
Pb-free  
Pb-free  
Pb-free  
166MHz  
143MHz  
166MHz  
143MHz  
PIN CONFIGURATION (TOP VIEW)  
1
2
3
4
5
6
7
DQ0  
VDD  
A
B
C
D
E
F
VSS  
DQ15  
VDD  
DQ0  
DQ1  
VSSQ  
DQ2  
DQ3  
VDDQ  
DQ4  
DQ5  
VSSQ  
DQ6  
DQ7  
VDDQ  
LDQM  
WE  
1
VSS  
50  
49  
48  
47  
46  
45  
44  
43  
42  
41  
40  
39  
38  
37  
36  
35  
34  
33  
32  
31  
30  
29  
28  
27  
26  
VDDQ  
VSSQ  
DQ1  
DQ2  
DQ14  
DQ13  
VSSQ  
VDDQ  
2
DQ15  
DQ14  
VSSQ  
DQ13  
DQ12  
VDDQ  
DQ11  
DQ10  
VSSQ  
DQ9  
DQ8  
VDDQ  
N.C/RFU  
UDQM  
CLK  
CKE  
N.C  
3
4
DQ4  
DQ3  
DQ5  
5
DQ12  
DQ10  
DQ9  
DQ11  
VSSQ  
6
VDDQ  
7
8
VSSQ  
NC  
VDDQ  
NC  
DQ6  
DQ7  
9
10  
11  
12  
13  
14  
15  
16  
17  
18  
19  
20  
21  
22  
23  
24  
25  
G
H
J
DQ8  
NC  
NC  
NC  
NC  
NC  
UDQM  
LDQM  
WE  
CLK  
NC  
A9  
RAS  
NC  
NC  
CAS  
CS  
K
L
CAS  
RAS  
CS  
CKE  
BA  
A9  
NC  
NC  
A0  
BA  
A8  
M
N
P
R
A10/AP  
A0  
A8  
A10  
A7  
A7  
A1  
A6  
A1  
A5  
A4  
A2  
A3  
A6  
A2  
A5  
A3  
A4  
50PIN TSOP(II)  
(400mil x 825mil)  
60 Ball VFBGA  
(6.4x10.1mm)  
(0.65mm ball pitch)  
VDD  
VSS  
VDD  
VSS  
(0.8 mm PIN PITCH)  
Elite Semiconductor Memory Technology Inc.  
Publication Date : Sep. 2007  
Revision : 1.0 1/30  
1234567...30

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与M12S16161A_1相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
M12S16161A-10T ESMT

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 		512K x 16Bit x 2Banks Synchronous DRAM
M12S16161A-10TG ESMT

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 		512K x 16Bit x 2Banks Synchronous DRAM
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 		512K x 16Bit x 2Banks Synchronous DRAM
M12S16161A-5TG2Q ESMT

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 		Synchronous DRAM, 1MX16, 4.5ns, CMOS, PDSO50, 0.400 X 0.825 INCH, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE
M12S16161A-6BG ESMT

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 		512K x 16Bit x 2Banks Synchronous DRAM
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