5秒后页面跳转
M12S128168A-6BG PDF预览

M12S128168A-6BG

更新时间: 2024-02-29 07:47:32
品牌 Logo 应用领域
晶豪 - ESMT 存储内存集成电路动态存储器
页数 文件大小 规格书
45页 1036K
描述
2M x 16 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM

M12S128168A-6BG 技术参数

生命周期:Contact Manufacturer零件包装代码:TSOP2
包装说明:TSOP2,针数:54
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.02风险等级:5.18
访问模式:FOUR BANK PAGE BURST最长访问时间:5.4 ns
其他特性:AUTO/SELF REFRESHJESD-30 代码:R-PDSO-G54
长度:22.22 mm内存密度:134217728 bit
内存集成电路类型:SYNCHRONOUS DRAM内存宽度:16
功能数量:1端口数量:1
端子数量:54字数:8388608 words
字数代码:8000000工作模式:SYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:8MX16封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:TSOP2封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE认证状态:Not Qualified
座面最大高度:1.2 mm自我刷新:YES
最大供电电压 (Vsup):2.7 V最小供电电压 (Vsup):2.3 V
标称供电电压 (Vsup):2.5 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子形式:GULL WING端子节距:0.8 mm
端子位置:DUAL宽度:10.16 mm
Base Number Matches:1

M12S128168A-6BG 数据手册

 浏览型号M12S128168A-6BG的Datasheet PDF文件第2页浏览型号M12S128168A-6BG的Datasheet PDF文件第3页浏览型号M12S128168A-6BG的Datasheet PDF文件第4页浏览型号M12S128168A-6BG的Datasheet PDF文件第5页浏览型号M12S128168A-6BG的Datasheet PDF文件第6页浏览型号M12S128168A-6BG的Datasheet PDF文件第7页 
ESMT  
M12S128168A  
Revision History  
Revision 1.0 (Nov. 09, 2006)  
-Original  
Revision 1.1 (Apr. 30, 2008)  
-Add speed grade -6 and -7  
-Add BGA package  
Elite Semiconductor Memory Technology Inc.  
Publication Date: Apr. 2008  
Revision: 1.1  
1/45  

与M12S128168A-6BG相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
M12S128168A-6TG ESMT

获取价格

2M x 16 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM
M12S128168A-7BG ESMT

获取价格

2M x 16 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM
M12S128168A-7TG ESMT

获取价格

2M x 16 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM
M12S128324A ESMT

获取价格

1M x 32 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM
M12S128324A-6BG ESMT

获取价格

1M x 32 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM
M12S128324A-6TG ESMT

获取价格

1M x 32 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM
M12S128324A-7BG ESMT

获取价格

1M x 32 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM
M12S128324A-7TG ESMT

获取价格

1M x 32 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM
M12S15/670X ETC

获取价格

Analog IC
M12S16161A ESMT

获取价格

512K x 16Bit x 2Banks Synchronous DRAM