是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Contact Manufacturer |
零件包装代码: | TSOP2 | 包装说明: | TSSOP, TSSOP86,.46,20 |
针数: | 86 | Reach Compliance Code: | unknown |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8542.32.00.02 |
风险等级: | 5.32 | Is Samacsys: | N |
访问模式: | FOUR BANK PAGE BURST | 最长访问时间: | 4.5 ns |
其他特性: | AUTO/SELF REFRESH | 最大时钟频率 (fCLK): | 200 MHz |
I/O 类型: | COMMON | 交错的突发长度: | 1,2,4,8 |
JESD-30 代码: | R-PDSO-G86 | 长度: | 22.22 mm |
内存密度: | 67108864 bit | 内存集成电路类型: | SYNCHRONOUS DRAM |
内存宽度: | 32 | 功能数量: | 1 |
端口数量: | 1 | 端子数量: | 86 |
字数: | 2097152 words | 字数代码: | 2000000 |
工作模式: | SYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 70 °C |
最低工作温度: | 组织: | 2MX32 | |
输出特性: | 3-STATE | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | TSSOP | 封装等效代码: | TSSOP86,.46,20 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH |
电源: | 3.3 V | 认证状态: | Not Qualified |
刷新周期: | 2048 | 座面最大高度: | 1.2 mm |
自我刷新: | YES | 连续突发长度: | 1,2,4,8,FP |
最大待机电流: | 0.002 A | 子类别: | DRAMs |
最大压摆率: | 0.33 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 3.6 V |
最小供电电压 (Vsup): | 3 V | 标称供电电压 (Vsup): | 3.3 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | COMMERCIAL | 端子形式: | GULL WING |
端子节距: | 0.5 mm | 端子位置: | DUAL |
宽度: | 10.16 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
M12L64322A-5BG2U | ESMT |
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512K x 32 Bit x 4 Banks | |
M12L64322A-5TG | ESMT |
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512K x 32 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM | |
M12L64322A-5TG2S | ESMT |
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Synchronous DRAM, 2MX32, CMOS, PDSO86, TSOPII-86 | |
M12L64322A-5TG2U | ESMT |
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512K x 32 Bit x 4 Banks | |
M12L64322A-5TIG2U | ESMT |
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DRAM, | |
M12L64322A-6BG | ESMT |
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512K x 32 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM | |
M12L64322A-6BG2S | ESMT |
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Synchronous DRAM, 2MX32, CMOS, PBGA90, BGA-90 | |
M12L64322A-6BG2U | ESMT |
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512K x 32 Bit x 4 Banks | |
M12L64322A-6BIG | ESMT |
获取价格 |
512K x 32 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM | |
M12L64322A-6BIG2U | ESMT |
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DRAM, |