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M12L64164A-7TIG

更新时间: 2024-01-17 00:48:13
品牌 Logo 应用领域
晶豪 - ESMT 动态存储器
页数 文件大小 规格书
45页 821K
描述
1M x 16 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM

M12L64164A-7TIG 技术参数

生命周期:Contact Manufacturer零件包装代码:TSOP2
包装说明:TSOP2,针数:54
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.02风险等级:5.25
访问模式:FOUR BANK PAGE BURST最长访问时间:6 ns
其他特性:AUTO/SELF REFRESHJESD-30 代码:R-PDSO-G54
长度:22.22 mm内存密度:67108864 bit
内存集成电路类型:SYNCHRONOUS DRAM内存宽度:16
功能数量:1端口数量:1
端子数量:54字数:4194304 words
字数代码:4000000工作模式:SYNCHRONOUS
最高工作温度:85 °C最低工作温度:-40 °C
组织:4MX16封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:TSOP2封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE认证状态:Not Qualified
座面最大高度:1.2 mm自我刷新:YES
最大供电电压 (Vsup):3.6 V最小供电电压 (Vsup):3 V
标称供电电压 (Vsup):3.3 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:INDUSTRIAL
端子形式:GULL WING端子节距:0.8 mm
端子位置:DUAL宽度:10.16 mm

M12L64164A-7TIG 数据手册

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ESMT  
M12L64164A  
Operation Temperature Condition -40°C~85°C  
Revision History  
Revision 0.1 (Dec. 12 2004)  
- Original  
Revision 1.0 (Jun. 13 2006)  
- Add Pb free  
Revision 1.1 (Dec. 29 2006)  
- Add -5TIG and -5BIG spec  
Revision 1.2 (Dec. 13 2007)  
- Add BGA type to ordering information  
-Modify BGA ball packing dimensions  
- Modify Icc2N test condition (/CS <= VIH VIH Î /CS >= VIH )  
- Modify tSHZ timing  
-Modify DQ pin capacitance spec  
Elite Semiconductor Memory Technology Inc.  
Publication Date: Dec. 2007  
Revision: 1.2  
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