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M12L64164A-7TG

更新时间： 2024-02-17 07:22:07
品牌 Logo 应用领域
晶豪 - ESMT 动态存储器
页数 文件大小 规格书
45页 814K
描述
1M x 16 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM

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M12L64164A-7TG 技术参数

生命周期：Contact Manufacturer零件包装代码：TSOP2
包装说明：TSOP2,针数：54
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.32.00.02风险等级：5.25
访问模式：FOUR BANK PAGE BURST最长访问时间：6 ns
其他特性：AUTO/SELF REFRESHJESD-30 代码：R-PDSO-G54
长度：22.22 mm内存密度：67108864 bit
内存集成电路类型：SYNCHRONOUS DRAM内存宽度：16
功能数量：1端口数量：1
端子数量：54字数：4194304 words
字数代码：4000000工作模式：SYNCHRONOUS
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-40 °C
组织：4MX16封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：TSOP2封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE认证状态：Not Qualified
座面最大高度：1.2 mm自我刷新：YES
最大供电电压 (Vsup)：3.6 V最小供电电压 (Vsup)：3 V
标称供电电压 (Vsup)：3.3 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：INDUSTRIAL
端子形式：GULL WING端子节距：0.8 mm
端子位置：DUAL宽度：10.16 mm

M12L64164A-7TG 数据手册

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ESMT  
SDRAM  
M12L64164A  
1M x 16 Bit x 4 Banks  
Synchronous DRAM  
FEATURES  
54 Pin TSOP (Type II)  
(400mil x 875mil )  
y
y
y
y
JEDEC standard 3.3V power supply  
LVTTL compatible with multiplexed address  
Four banks operation  
MRS cycle with address key programs  
- CAS Latency (2 & 3)  
PRODUCT NO. MAX FREQ. PACKAGE Comments  
M12L64164A-5TG  
M12L64164A-6TG  
200MHz  
166MHz  
54 TSOP II  
54 TSOP II  
Pb-free  
Pb-free  
- Burst Length (1, 2, 4, 8 & full page)  
- Burst Type (Sequential & Interleave)  
All inputs are sampled at the positive going edge of the  
system clock  
DQM for masking  
Auto & self refresh  
M12L64164A-7TG  
M12L64164A-5BG  
M12L64164A-6BG  
M12L64164A-7BG  
143MHz  
200MHz  
166MHz  
143MHz  
54 TSOP II  
54 VBGA  
54 VBGA  
54 VBGA  
Pb-free  
Pb-free  
Pb-free  
Pb-free  
y
y
y
y
15.6 μ s refresh interval  
ORDERING INFORMATION  
GENERAL DESCRIPTION  
The M12L64164A is 67,108,864 bits synchronous high data rate Dynamic RAM organized as 4 x 1,048,576 words by  
16 bits. Synchronous design allows precise cycle controls with the use of system clock I/O transactions are possible on  
every clock cycle. Range of operating frequencies, programmable burst length and programmable latencies allow the same  
device to be useful for a variety of high bandwidth, high performance memory system applications.  
PIN ASSIGNMENT  
Top View  
54 Ball FVBGA (8mmx8mm)  
54  
53  
52  
51  
50  
49  
48  
47  
46  
45  
44  
43  
42  
41  
40  
39  
38  
37  
36  
35  
34  
33  
32  
31  
30  
29  
28  
VSS  
1
VDD  
DQ0  
VDDQ  
DQ1  
DQ2  
VS SQ  
DQ3  
DQ4  
VDDQ  
DQ5  
DQ6  
VS SQ  
DQ7  
VDD  
DQ15  
VSSQ  
DQ14  
DQ13  
VDDQ  
DQ12  
DQ11  
VSSQ  
DQ10  
DQ9  
VDDQ  
DQ8  
VSS  
2
3
4
5
6
7
8
9
10  
11  
12  
13  
14  
15  
16  
17  
18  
19  
20  
21  
22  
23  
24  
25  
26  
27  
NC  
LDQM  
WE  
UDQM  
CLK  
CKE  
NC  
CAS  
RAS  
CS  
A11  
A13  
A9  
A12  
A8  
A10/AP  
A0  
A7  
A6  
A1  
A5  
A2  
A4  
A3  
VSS  
VDD  
Elite Semiconductor Memory Technology Inc.  
Publication Date: Mar. 2007  
Revision: 3.0 1/45  
1234567...45

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M12L64164A-7TG 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
IS42S16400B-7TL-TR ISSI

功能相似

 Synchronous DRAM, 4MX16, 6ns, CMOS, PDSO54, 0.400 INCH, LEAD FREE, PLASTIC, TSOP2-54
IS42S16400B-7TLI ISSI

功能相似

 1 Meg Bits x 16 Bits x 4 Banks (64-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM
IS42S16400B-7T ISSI

功能相似

 1 Meg Bits x 16 Bits x 4 Banks (64-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM

与M12L64164A-7TG相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
M12L64164A-7TG2M ESMT

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 		Synchronous DRAM, 4MX16, 6ns, CMOS, PDSO54, 0.400 X 0.875 INCH, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE,
M12L64164A-7TG2Y ESMT

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 		1M x 16 Bit x 4 Banks
M12L64164A-7TIG ESMT

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 		1M x 16 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM
M12L64164A-7TIG2M ESMT

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 		Synchronous DRAM, 4MX16, 6ns, CMOS, PDSO54, 0.400 X 0.875 INCH, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE,
M12L64164A-7TIG2Y ESMT

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 		Synchronous DRAM, 4MX16, 6ns, CMOS, PDSO54, 0.400 X 0.875 INCH, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE,
M12L64322A ESMT

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 		512K x 32 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM
M12L64322A_07 ESMT

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