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M12L2561616A-7BIG2S

更新时间： 2023-02-26 13:05:26
品牌 Logo 应用领域
晶豪 - ESMT 动态存储器
页数 文件大小 规格书
45页 1010K
描述
Synchronous DRAM, 16MX16, 5.4ns, CMOS, PBGA54, 8 X 8 MM, 1 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, BGA-54

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M12L2561616A-7BIG2S 数据手册

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ESMT  
M12L2561616A (2S)  
Operation Temperature Condition -40°C~85°C  
SDRAM  
4M x 16 Bit x 4 Banks  
Synchronous DRAM  
FEATURES  
ORDERING INFORMATION  
y
y
y
y
JEDEC standard 3.3V power supply  
LVTTL compatible with multiplexed address  
Four banks operation  
MRS cycle with address key programs  
- CAS Latency ( 2 & 3 )  
- Burst Length ( 1, 2, 4, 8 & full page )  
- Burst Type ( Sequential & Interleave )  
All inputs are sampled at the positive going edge of  
the system clock  
Burst Read single write operation  
DQM for masking  
Product ID  
Max Freq. Package Comments  
M12L2561616A-5TIG2S  
M12L2561616A-6TIG2S  
M12L2561616A-7TIG2S  
200MHz TSOP II  
166MHz TSOP II  
143MHz TSOP II  
Pb-free  
Pb-free  
Pb-free  
Pb-free  
Pb-free  
Pb-free  
M12L2561616A-5BIG2S 200MHz  
M12L2561616A-6BIG2S 166MHz  
M12L2561616A-7BIG2S 143MHz  
BGA  
BGA  
BGA  
y
y
y
y
y
y
Auto & self refresh  
64ms refresh period (8K cycle)  
All Pb-free products are RoHS-Compliant  
GENERAL DESCRIPTION  
The M12L2561616A is 268,435,456 bits synchronous high data rate Dynamic RAM organized as 4 x 4,194,304 words by 16 bits.  
Synchronous design allows precise cycle control with the use of system clock I/O transactions are possible on every clock cycle.  
Range of operating frequencies, programmable burst length and programmable latencies allow the same device to be useful for a  
variety of high bandwidth, high performance memory system applications.  
PIN CONFIGURATION (TOP VIEW)  
BALL CONFIGURATION (TOP VIEW)  
(TSOPII 54L, 400milX875mil Body, 0.8mm Pin Pitch)  
(BGA54, 8mmX8mmX1mm Body, 0.8mm Ball Pitch)  
54  
53  
52  
51  
50  
49  
48  
47  
46  
45  
44  
43  
42  
41  
40  
39  
38  
37  
36  
35  
34  
33  
32  
31  
30  
29  
28  
V
SS  
1
V
DD  
DQ15  
2
DQ0  
V
SSQ  
3
V
DDQ  
DQ1  
DQ2  
1
2
3
4
5
6
7
8
9
DQ14  
DQ13  
4
5
V
DDQ  
6
V
SSQ  
DQ3  
DQ4  
VDDQ  
A
B
C
D
E
F
VSS  
DQ15  
VSSQ  
DQ0  
VDD  
DQ12  
DQ11  
7
8
VSSQ  
VDDQ  
DQ2  
DQ4  
DQ1  
DQ3  
DQ14  
DQ12  
DQ13  
DQ11  
VDDQ  
VSSQ  
V
SSQ  
9
V
DDQ  
DQ5  
DQ6  
DQ10  
DQ9  
10  
11  
12  
13  
14  
15  
16  
17  
18  
19  
20  
21  
22  
23  
24  
25  
26  
27  
V
DDQ  
V
SSQ  
DQ8  
DQ7  
VSSQ  
VDD  
VDDQ  
VSS  
DQ6  
DQ10  
DQ8  
DQ9  
NC  
DQ5  
DQ7  
V
SS  
V
DD  
NC  
LDQM  
WE  
UDQM  
CLK  
CKE  
LDQM  
CAS  
RAS  
CS  
UDQM  
A12  
CLK  
A11  
CKE  
A9  
CAS  
BA0  
RAS  
BA1  
WE  
CS  
A
A
A
A
A
A
A
A
V
12  
11  
9
BA0  
BA1  
G
H
J
8
A
10/AP  
7
A
A
A
A
0
1
2
3
A8  
A0  
A3  
A10  
A7  
A5  
A6  
A4  
A1  
A2  
6
5
VSS  
VDD  
4
SS  
V
DD  
Elite Semiconductor Memory Technology Inc.  
Publication Date: Feb. 2015  
Revision: 1.4 1/45  
1234567...45

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
M12L2561616A-7TG ESMT

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 		4M x 16 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM
M12L2561616A-7TG2A ESMT

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 		Synchronous DRAM, 16MX16, 5.4ns, CMOS, PDSO54, 0.400 X 0.875 INCH, 0.80 MM PITCH, ROHS COM
M12L2561616A-7TG2K ESMT

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 		JEDEC standard 3.3V power supply
M12L2561616A-7TIG ESMT

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 		4M x 16 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM
M12L2561616A-7TIG2A ESMT

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 		Synchronous DRAM, 16MX16, 5.4ns, CMOS, PDSO54, 0.400 X 0.875 INCH, 0.80 MM PITCH, LEAD FRE
M12L2561616A-7TIG2K ESMT

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 		Synchronous DRAM, 16MX16, 5.4ns, CMOS, PDSO54, 0.400 X 0.875 INCH, 0.80 MM PITCH, LEAD FRE
M12L2561616A-7TIG2S ESMT

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 		Synchronous DRAM, 16MX16, 5.4ns, CMOS, PDSO54, 0.400 X 0.875 INCH, 0.80 MM PITCH, ROHS COM
M12L32162A ESMT

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 		1M x 16Bit x 2Banks Synchronous DRAM
M12L32162A_0712 ESMT

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M12L32162A_09 ESMT

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