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M11L416256SA-28T

更新时间： 2024-02-01 00:02:37

品牌	Logo	应用领域
晶豪 - ESMT		动态存储器光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
16页	230K
描述
EDO DRAM, 256KX16, 28ns, CMOS, PDSO40, TSOP2-44/40

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M11L416256SA-28T 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	TSOP2, TSOP40/44,.46,32
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.84
访问模式：	EDO PAGE	最长访问时间：	28 ns
其他特性：	SELF REFRESH	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	R-PDSO-G40	长度：	18.41 mm
内存密度：	4194304 bit	内存集成电路类型：	EDO DRAM
内存宽度：	16	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	40
字数：	262144 words	字数代码：	256000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	256KX16
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TSOP2	封装等效代码：	TSOP40/44,.46,32
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
电源：	3.3 V	认证状态：	Not Qualified
刷新周期：	512	座面最大高度：	1.2 mm
自我刷新：	YES	最大待机电流：	0.002 A
子类别：	DRAMs	最大压摆率：	0.19 mA
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	3 V
标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.8 mm
端子位置：	DUAL	宽度：	10.16 mm
Base Number Matches：	1

M11L416256SA-28T 数据手册

M11L416256A/M11L416256SA

DRAM

256 K x 16 DRAM

EDO PAGE MODE

FEATURES

ORDERING INFORMATION - PACKAGE

X16 organization

40-pin 400mil SOJ

EDO (Extended Data-Output) access mode

2 CAS Byte/Word Read/Write operation

Single 3.3V ( ± 10%) power supply

LVTTL-compatible inputs and outputs

512-cycle refresh in 8ms

44 / 40-pin 400mil TSOP (Type II)

PACKING

TYPE

PRODUCT NO.

Refresh

Refresh modes :RAS only, CAS BEFORE RAS (CBR)

and HIDDEN capabilities

Optional self-refresh capability (S-ver. only)

JEDEC standard pinout

M11L416256A-25J/T

M11L416256A-28J/T

M11L416256A-30J/T

M11L416256A-35J/T

M11L416256A-40J/T

M11L416256SA-25J/T

M11L416256SA-28J/T

M11L416256SA-30J/T

M11L416256SA-35J/T

M11L416256SA-40J/T

Normal

SOJ/TSOPII

Key AC Parameter

RAC

CAC

-25

-28

-30

-35

-40

Self-Refresh SOJ/TSOPII

GENERAL DESCRIPTION

The M11L416256 series is a randomly accessed solid state memory, organized as 262,144 x 16 bits device. It offers

Extended Data-Output , 3.3V( ± 10%) single power supply. Access time (-25,-28,-30,-35,-40) , self-refresh and package type

(SOJ, TSOP II) are optional features of this family. All these family have CAS - before -RAS ,RAS -only refresh and Hidden

refresh capabilities.

Two access modes are supported by this device: Byte access and Word access. Use only one of the two CAS and leave

the other staying high will result in a BYTE access. WORD access happens when two CAS ( CASL , CASH ) are used. CASL

transiting low during READ or WRITE cycle will output or input data into the lower byte (IO0~IO7), and CASH transiting low will

output or input data into the upper byte (IO8~15).

PIN ASSIGNMENT

SOJ Top View

TSOP (TypeII) Top View

V^SS

V^CC

I/O0

I/O1

I/O2

I/O3

V^CC

4 0

3 9

3 8

3 7

3 6

3 5

3 4

3 3

3 2

3 1

VCC

I/O0

I/O1

I/O2

I/O3

VCC

I/O4

I/O5

I/O6

I/O7

VSS

4 0

3 9

3 8

3 7

3 6

3 5

3 4

3 3

3 2

I/O15

I/O14

I/O13

I/O12

V^SS

I/O15

I/O14

I/O13

I/O12

VSS

I/O4

I/O5

I/O6

I/O7

I/O11

I/O10

I/O9

I/O11

I/O10

I/O9

I/O8

N C

1 0

I/O8

N C

CASL

C ASH

W E

RAS

1 1

1 2

1 3

1 4

1 5

1 6

1 7

1 8

1 9

2 0

3 0

2 9

2 8

2 7

2 6

2 5

2 4

2 3

2 2

2 1

CASL

CASH

RAS

VSS

VCC

Elite Memory Technology Inc

Publication Date: Agu. 2001

Revision : 1.3 1/16

12 3 4 5 6 7...16

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与M11L416256SA-28T相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
M11L416256SA-35JP	ESMT	256 K x 16 DRAM EDO PAGE MODE	获取价格
M11L416256SA-35T	ESMT	EDO DRAM, 256KX16, 35ns, CMOS, PDSO40, TSOP2-44/40	获取价格
M11L416256SA-35TG	ESMT	256 K x 16 DRAM EDO PAGE MODE	获取价格
M11L416256SA-40J	ESMT	EDO DRAM, 256KX16, 40ns, CMOS, PDSO40, SOJ-40	获取价格
M11L416256SA-40T	ESMT	EDO DRAM, 256KX16, 40ns, CMOS, PDSO40, TSOP2-44/40	获取价格
M12	CONEC	Field Attachable	获取价格

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