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M11L1644A-45J

更新时间： 2024-09-24 21:05:19

品牌	Logo	应用领域
晶豪 - ESMT		动态存储器光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
16页	200K
描述
EDO DRAM, 4MX4, 45ns, CMOS, PDSO24, SOJ-26/24

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M11L1644A-45J 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	SOJ, SOJ24/26,.34
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.84
访问模式：	EDO PAGE	最长访问时间：	45 ns
其他特性：	RAS ONLY; CAS BEFORE RAS; HIDDEN REFRESH	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	R-PDSO-J24	长度：	17.15 mm
内存密度：	16777216 bit	内存集成电路类型：	EDO DRAM
内存宽度：	4	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	24
字数：	4194304 words	字数代码：	4000000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	4MX4
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	SOJ	封装等效代码：	SOJ24/26,.34
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
电源：	3.3 V	认证状态：	Not Qualified
刷新周期：	2048	座面最大高度：	3.76 mm
自我刷新：	NO	最大待机电流：	0.002 A
子类别：	DRAMs	最大压摆率：	0.15 mA
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	3 V
标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子形式：	J BEND	端子节距：	1.27 mm
端子位置：	DUAL	宽度：	7.62 mm
Base Number Matches：	1

M11L1644A-45J 数据手册

M11B1644A / M11B1644SA

M11L1644A / M11L1644SA

DRAM

4M x 4 DRAM

EDO PAGE MODE

FEATURES

ORDERING INFORMATION - PACKAGE

X4 organization

24 / 26-pin 300mil SOJ

EDO (Extended Data-Out) access mode

Single power supply :

24 / 26-pin 300mil TSOP (TypeII)

PACKING

TYPE

5V ± 10% Vcc for 5V product

3.3V ± 10% Vcc for 3.3V product

Interface for inputs and outputs

TTL-compatible for 5V products

LVTTL-compatible for 3.3V products

2048-cycle refresh in 32ms

Refresh modes :RAS only, CAS BEFORE RAS (CBR)

and HIDDEN capabilities,

Optional self-Refresh capabilities(S-ver. Only)

JEDEC standard pinout

PRODUCT NO.

Refresh Vcc

M11B1644A-45J/50J/60J

M11B1644SA-45J/50J/60J

M11L1644A-45J/50J/60J

M11L1644SA-45J/50J/60J

M11B1644A-45T/50T/60T

M11B1644SA-45T/50T/60T

M11L1644A-45T/50T/60T

Normal

*Self-

Refresh

SOJ

Normal

3.3V

Self-

Refresh

Normal

Key AC Parameter

*Self-

Refresh

RAC

CAC

TSOPII

-45

-50

-60

Normal

3.3V

Self-

Refresh

M11L1644SA-45T/50T/60T

104

* Ordered by special request

GENERAL DESCRIPTION

The M11B1644/M11L1644 series is a randomly accessed solid state memory, organized as 4,194,304 x 4 bits device. It

offers Extended Data-Output access mode. Single power supply (5V± 10%, 3.3V ± 10%), access time (-45,-50,-60), self-

refresh function and package type (SOJ, TSOP II) are optional features of this family. All these family have CAS - before -

RAS ,RAS -only refresh and Hidden refresh.

The primary advantage of EDO is the availability of data-out even after CAS returns high. EDO allows CAS precharge

time (t ) to occur without the output data going invalid. This elimination of CAS output control allows pipeline Read.

PIN ASSIGNMENT

SOJ Top View

TSOP (TypeII) Top View

V^{S S}

I/O3

I/O2

CAS

2 4

2 3

2 1

2 0

1 9

V^CC

I/O0

I/O1

V^CC

I/O0

I/O1

I/O3

I/O2

CAS

2 3

2 1

2 0

1 9

RAS

N C

RAS

N C

V^{S S}

V^SS

1 8

1 7

1 6

1 5

1 4

1 3

1 0

1 1

1 2

A10

1 0

1 1

1 2

1 8

1 7

1 6

1 5

1 4

1 3

A10

V^CC

Elite Semiconductor Memory Technology Inc.

Publication Date : May. 2001

Revision : 1.1 1/16

12 3 4 5 6 7...16

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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M11L1644A-50T	ESMT	获取价格	EDO DRAM, 4MX4, 50ns, CMOS, PDSO24, TSOP2-26/24
M11L1644A-60T	ESMT	获取价格	EDO DRAM, 4MX4, 60ns, CMOS, PDSO24, TSOP2-26/24
M11L1644SA-50J	ESMT	获取价格	EDO DRAM, 4MX4, 50ns, CMOS, PDSO24, SOJ-26/24
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