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M0334RC200

更新时间: 2024-11-19 14:56:23
品牌 Logo 应用领域
力特 - LITTELFUSE 软恢复二极管
页数 文件大小 规格书
12页 895K
描述
我们的软恢复二极管提供多种反向恢复特性,可满足续流和缓冲应用的需求。 这些器件可提供高达6kV的阻断电压和高达2413A的平均电流。 其中包含24mm至75mm直径的硅片。 这些器件尤其适用于要求

M0334RC200 技术参数

生命周期:ActiveReach Compliance Code:compliant
风险等级:5.76应用:SOFT RECOVERY
外壳连接:ANODE配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF):1.35 VJESD-30 代码:O-MUPM-H1
最大非重复峰值正向电流:4950 A元件数量:1
相数:1端子数量:1
最高工作温度:125 °C最低工作温度:-40 °C
最大输出电流:334 A封装主体材料:METAL
封装形状:ROUND封装形式:POST/STUD MOUNT
最大重复峰值反向电压:2000 V最大反向电流:20000 µA
表面贴装:NO端子形式:HIGH CURRENT CABLE
端子位置:UPPERBase Number Matches:1

M0334RC200 数据手册

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Date:- 6 Nov, 2014  
Data Sheet Issue:- 2  
Soft Recovery Diode  
Type M0334S/R#160 to M0334S/R#200  
Absolute Maximum Ratings  
MAXIMUM  
LIMITS  
VOLTAGE RATINGS  
UNITS  
VRRM  
VRSM  
Repetitive peak reverse voltage, (note 1)  
Non-repetitive peak reverse voltage, (note 1)  
1600-2000  
V
V
1700-2600  
MAXIMUM  
LIMITS  
OTHER RATINGS  
UNITS  
IF(AV)M  
IF(AV)M  
IF(RMS)  
IF(d.c.)  
IFSM  
Maximum average forward current, Tsink=55°C, (note 2)  
Maximum average forward current. Tsink=100°C, (note 2)  
Nominal RMS forward current, Tsink=25°C, (note 2)  
D.C. forward current, Tsink=25°C, (note 3)  
334  
A
A
151  
676  
A
547  
A
Peak non-repetitive surge tp=10ms, VRM=60%VRRM, (note 3)  
Peak non-repetitive surge tp=10ms, VRM10V, (note 3)  
I2t capacity for fusing tp=10ms, VRM=60%VRRM, (note 3)  
I2t capacity for fusing tp=10ms, VRM10V, (note 3)  
Operating temperature range  
4500  
A
IFSM2  
I2t  
4950  
A
101×103  
122×103  
-40 to +125  
-40 to +150  
A2s  
A2s  
°C  
°C  
I2t  
Tj op  
Tstg  
Storage temperature range  
Notes:-  
1) De-rating factor of 0.13% per °C is applicable for Tj below 25°C.  
2) single phase; 50Hz, 180° half-sinewave.  
3) Half-sinewave, 125°C Tj initial.  
Data Sheet. Types M0334S/R#160 to M0334S/R#200 Issue 2  
Page 1 of 11  
November 2014  

与M0334RC200相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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DIODE 150 A, 1800 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, Rectifier Diode
M0334RJ200 LITTELFUSE

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