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LY62W51316_16

更新时间： 2024-11-07 00:46:51

品牌	Logo	应用领域
台湾来扬 - LYONTEK		静态存储器
页数	文件大小	规格书
14页	346K
描述
512K X 16 BIT LOW POWER CMOS SRAM

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®

LY62W51316

512K X 16 BIT LOW POWER CMOS SRAM

Rev. 1.1

REVISION HISTORY

Revision

Rev. 0.1

Rev. 0.2

Rev. 1.0

Description

Initial Issue

Revised TEST CONDITION of V_IHin page 3

Revised Notes item 1 and 2 in page 3

1. V_IH(max) = V_CC+ 2.0V for pulse width less than 6ns.

2. V_IL(min) = V_SS- 2.0V for pulse width less than 6ns.

Issue Date

Apr.25.2011

May.13.2011

Aug.29.2013

ORDERING INFORMATION

Revised

Deleted WRITE CYCLE Notes :

1.WE#,CE#, LB#, UB# must be high or CE2 must be low during

all address transitions.

Rev. 1.1

Jun.29.2016

In page 7

Lyontek Inc. ^{reserves the rights to change the specifications and products without notice.}

2F, No.17, Industry E. Rd. II, Science-Based Industrial Park, Hsinchu 300, Taiwan.

TEL: 886-3-6668838

FAX: 886-3-6668836

0

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