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LY62L204916AGL-55SLIT

更新时间: 2024-09-30 00:56:03
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台湾来扬 - LYONTEK 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
12页 369K
描述
2048K X 16 BIT LOW POWER CMOS SRAM

LY62L204916AGL-55SLIT 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Contact Manufacturer
包装说明:TFBGA-48Reach Compliance Code:compliant
风险等级:5.76最长访问时间:55 ns
JESD-30 代码:R-PBGA-B48长度:10 mm
内存密度:33554432 bit内存集成电路类型:STANDARD SRAM
内存宽度:16功能数量:1
端子数量:48字数:2097152 words
字数代码:2000000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:85 °C最低工作温度:-40 °C
组织:2MX16封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:LFBGA封装形状:RECTANGULAR
封装形式:GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH并行/串行:PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED座面最大高度:1.4 mm
最大供电电压 (Vsup):3.6 V最小供电电压 (Vsup):2.7 V
标称供电电压 (Vsup):3 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:INDUSTRIAL
端子形式:BALL端子节距:0.75 mm
端子位置:BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
宽度:8 mmBase Number Matches:1

LY62L204916AGL-55SLIT 数据手册

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®
LY62L204916A  
2048K X 16 BIT LOW POWER CMOS SRAM  
Rev.1.3  
REVISION HISTORY  
Revision  
Rev. 1.0  
Rev. 1.1  
Description  
Initial Issue  
Typo error on page 9, revised as 8mmx10mm.  
Issue Date  
Nov. 06. 2012  
Dec.18. 2012  
Rev. 1.2  
1. Revise ISB1 on page 4 & IDR on page 8  
Jun. 10. 2013  
2.Revise VIH(max) & VIL(min) note on page 4  
VIH(max) = VCC + 2.0V for pulse width less than 6ns.  
VIL(min) = VSS - 2.0V for pulse width less than 6ns.  
Rev. 1.3  
Deleted WRITE CYCLE Notes :  
1.WE#,CE#, LB#, UB# must be high or CE2 must be low during  
all address transitions.  
Jun. 29. 2016  
In page 7  
Lyontek Inc. reserves the rights to change the specifications and products without notice.  
2F, No. 17, Industry E. Rd. II, Science-Based Industrial Park, Hsinchu 300, Taiwan.  
TEL: 886-3-6668838  
FAX: 886-3-6668836  
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