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LY62L20488ML-55SLIT

更新时间: 2024-11-17 00:32:35
品牌 Logo 应用领域
台湾来扬 - LYONTEK 静态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
14页 371K
描述
2048K X 8 BIT LOW POWER CMOS SRAM

LY62L20488ML-55SLIT 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Active
包装说明:TSOP2-44Reach Compliance Code:compliant
风险等级:5.69最长访问时间:55 ns
JESD-30 代码:R-PDSO-G44长度:18.415 mm
内存密度:16777216 bit内存集成电路类型:STANDARD SRAM
内存宽度:8功能数量:1
端子数量:44字数:2097152 words
字数代码:2000000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:85 °C最低工作温度:-40 °C
组织:2MX8封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:TSOP2封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE并行/串行:PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED座面最大高度:1.2 mm
最大供电电压 (Vsup):3.6 V最小供电电压 (Vsup):2.7 V
标称供电电压 (Vsup):3 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:INDUSTRIAL
端子形式:GULL WING端子节距:0.8 mm
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
宽度:10.16 mmBase Number Matches:1

LY62L20488ML-55SLIT 数据手册

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®
LY62L20488  
2048K X 8 BIT LOW POWER CMOS SRAM  
Rev. 1.2  
REVISION HISTORY  
Revision  
Rev. 1.0  
Rev. 1.1  
Description  
Initial Issue  
Issue Date  
Feb.24.2010  
May.7.2010  
PACKAGE OUTLINE DIMENSION  
Revised  
Deleted WRITE CYCLE Notes :  
in page 10  
Rev. 1.2  
Jun.29.2016  
1. WE#, CE# must be high or CE2 must be low during all address transitions  
in page 7  
Lyontek Inc. reserves the rights to change the specifications and products without notice.  
2F, No.17, Industry E. Rd. II, Science-Based Industrial Park, Hsinchu 300, Taiwan.  
TEL: 886-3-6668838  
FAX: 886-3-6668836  
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