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LY62L20488GL-70LL

更新时间: 2024-09-29 00:32:35
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台湾来扬 - LYONTEK 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
13页 197K
描述
2048K X 8 BIT LOW POWER CMOS SRAM

LY62L20488GL-70LL 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Contact Manufacturer
包装说明:TFBGA-48Reach Compliance Code:compliant
风险等级:5.7最长访问时间:70 ns
JESD-30 代码:R-PBGA-B48长度:8 mm
内存密度:16777216 bit内存集成电路类型:STANDARD SRAM
内存宽度:8功能数量:1
端子数量:48字数:2097152 words
字数代码:2000000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:2MX8封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:TFBGA封装形状:RECTANGULAR
封装形式:GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH并行/串行:PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED座面最大高度:1.2 mm
最大供电电压 (Vsup):3.6 V最小供电电压 (Vsup):2.7 V
标称供电电压 (Vsup):3 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子形式:BALL端子节距:0.75 mm
端子位置:BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
宽度:6 mm

LY62L20488GL-70LL 数据手册

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®
LY62L20488  
2048K X 8 BIT LOW POWER CMOS SRAM  
Rev. 1.1  
REVISION HISTORY  
Revision  
Rev. 1.0  
Rev. 1.1  
Description  
Initial Issue  
Issue Date  
Feb.24.2010  
Aug.25.2010  
ORDERING INFORMATION  
Revised  
in page 11  
Lyontek Inc. reserves the rights to change the specifications and products without notice.  
5F, No. 2, Industry E. Rd. IX, Science-Based Industrial Park, Hsinchu 300, Taiwan.  
TEL: 886-3-6668838  
FAX: 886-3-6668836  
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