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LY61L1288RL-15ET

更新时间： 2024-11-21 00:32:23

品牌	Logo	应用领域
台湾来扬 - LYONTEK		静态存储器光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
12页	280K
描述
128K X 8 BIT HIGH SPEED CMOS SRAM

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LY61L1288RL-15ET 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Not Recommended
包装说明：	STSOP-32	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.8	最长访问时间：	15 ns
JESD-30 代码：	R-PDSO-G32	长度：	11.8 mm
内存密度：	1048576 bit	内存集成电路类型：	STANDARD SRAM
内存宽度：	8	功能数量：	1
端子数量：	32	字数：	131072 words
字数代码：	128000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	80 °C	最低工作温度：	-20 °C
组织：	128KX8	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	LSSOP	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE, LOW PROFILE, SHRINK PITCH	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	座面最大高度：	1.25 mm
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	3 V
标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL EXTENDED
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.5 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
宽度：	8 mm	Base Number Matches：	1

LY61L1288RL-15ET 数据手册

LY61L1288

128K X 8 BIT HIGH SPEED CMOS SRAM

Rev. 1.5

REVISION HISTORY

Revision

Rev. 1.0

Rev. 1.1

Rev. 1.2

Description

Initial Issue

Delete Icc1 Spec.

Added I Grade Spec.

Issue Date

Jul.25.2004

Sep.21.2004

Apr.20.2009

Revised Test Condition of I_CC/I_SB1/I_DR

Revised V_TERMto V_T1and V_T2

FEATURES ORDERING INFORMATION

Lead

Revised

free and green package available to Green package available

ABSOLUTE MAXIMUN RATINGS

Deleted T_SOLDERin

ORDERING INFORMATION

Added packing type in

Adding PKG type : 32 TSOP-II

Rev. 1.3

Jan.5.2010

PACKAGE OUTLINE DIMENSION

Revised

in page 8

Rev. 1.4

Rev. 1.5

May.7.2010

Aug.25.2010

PACKAGE OUTLINE DIMENSION

ORDERING INFORMATION

in page 10

Lyontek Inc. ^{reserves the rights to change the specifications and products without notice.}

5F, No. 2, Industry E. Rd. IX, Science-Based Industrial Park, Hsinchu 300, Taiwan.

TEL: 886-3-6668838

FAX: 886-3-6668836

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