Datasheet > 射频和微波 > 射频/微波放大器> LX5512BLQTR

LX5512BLQTR

更新时间： 2024-11-11 13:09:55

品牌	Logo	应用领域
美高森美 - MICROSEMI		放大器功率放大器
页数	文件大小	规格书
6页	178K
描述
2400MHz - 2500MHz RF/MICROWAVE NARROW BAND HIGH POWER AMPLIFIER, 3 X 3 MM, LEAD FREE, PLASTIC, MLPQ-16

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LX5512BLQTR 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.14	Is Samacsys：	N
构造：	COMPONENT	增益：	32 dB
最大输入功率 (CW)：	5 dBm	JESD-609代码：	e3
最大工作频率：	2500 MHz	最小工作频率：	2400 MHz
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
射频/微波设备类型：	NARROW BAND HIGH POWER	端子面层：	MATTE TIN
Base Number Matches：	1

LX5512BLQTR 数据手册

LX5512B

InGaP HBT 2.4 – 2.5 GHz Power Amplifier

PRODUCTION DATA SHEET

KEY FEATURES

DESCRIPTION

Advanced InGaP HBT

2.4-2.5GHz Operation

Single-Polarity 3.3V Supply

Low Quiescent Current I_CQ

~65mA

Power Gain ~ 32 dB at

2.45GHz & Pout=19dBm

Total Current ~140mA for

Pout=19dBm at 2.45 GHz

OFDM

The LX5512B is a power amplifier

For 19dBm OFDM output power

optimized for WLAN applications in (64QAM, 54Mbps), the PA provides a

the 2.4-2.5 GHz frequency range. low EVM (Error-Vector Magnitude) of

The PA is implemented as a three- 3%, and consumes 140mA total DC

stage

monolithic

microwave current.

integrated circuit (MMIC) with active

bias and input/output pre-matching.

The device is manufactured with an

InGaP/GaAs Heterojunction Bipolar

The LX5512B is available in a 16-

pin 3mmx3mm micro-lead package

(MLP). The compact footprint, low

profile, and excellent thermal capability

of LX5512B meets the requirements of

high-gain power amplifiers for IEEE

802.11b/g applications.

EVM ~3 % for 64QAM/ 54Mbps

& Pout=19dBm

Small Footprint: 3x3mm2

Low Profile: 0.9mm

Transistor

(HBT)

process

(MOCVD). It operates at a single

low voltage supply of 3.3V with 32

dB power gain between 2.4-2.5GHz,

at a low quiescent current of 65mA.

APPLICATIONS

IMPORTANT: For the most current data, consult MICROSEMI’s website: http://www.microsemi.com

IEEE 802.11b/g

PRODUCT HIGHLIGHT

PACKAGE ORDER INFO

Plastic MLPQ

16 pin

LX5512BLQ

Note: Available in Tape & Reel. Append the letters “TR” to the part number.

(i.e. LX5512BLQTR)

This device is classified as ESD Level 0 in accordance with JESD22-A114-B, (HBM)

testing. Appropriate ESD procedures should be observed when handling this device.

Rev. 1.0, 2004-06-23

Microsemi

Integrated Products Division

Page 1

11861 Western Avenue, Garden Grove, CA. 92841, 714-898-8121, Fax: 714-893-2570

12 3 4 5 6

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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LX5512E_05	MICROSEMI	获取价格	InGaP HBT 2.4 – 2.5 GHz Power Amplifier
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