LTC1150MJ8

更新时间： 2024-01-10 15:58:37

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凌特 - Linear		电容器运算放大器放大器电路斩波器
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11页	803K
描述
+-15V Chopper Stabilized Operational Amplifier with Internal Capacitors

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LTC1150MJ8 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	DIP	包装说明：	DIP, DIP8,.3
针数：	8	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.33.00.01
风险等级：	5.78	Is Samacsys：	N
放大器类型：	OPERATIONAL AMPLIFIER	架构：	CHOPPER-STAB
最大平均偏置电流 (IIB)：	0.0025 µA	25C 时的最大偏置电流 (IIB)：	0.00003 µA
最小共模抑制比：	110 dB	标称共模抑制比：	130 dB
频率补偿：	YES	最大输入失调电压：	10 µV
JESD-30 代码：	R-GDIP-T8	JESD-609代码：	e0
低-偏置：	YES	低-失调：	YES
湿度敏感等级：	1	负供电电压上限：	-16 V
标称负供电电压 (Vsup)：	-15 V	功能数量：	1
端子数量：	8	最高工作温度：	125 °C
最低工作温度：	-55 °C	封装主体材料：	CERAMIC, GLASS-SEALED
封装代码：	DIP	封装等效代码：	DIP8,.3
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	电源：	5/+-15 V
可编程功率：	YES	认证状态：	Not Qualified
筛选级别：	38535Q/M;38534H;883B	座面最大高度：	5.08 mm
标称压摆率：	3 V/us	子类别：	Operational Amplifiers
最大压摆率：	1.8 mA	供电电压上限：	16 V
标称供电电压 (Vsup)：	15 V	表面贴装：	NO
技术：	CMOS	温度等级：	MILITARY
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子节距：	2.54 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	标称均一增益带宽：	2500 kHz
最小电压增益：	10000000	宽度：	7.62 mm
Base Number Matches：	1

LTC1150MJ8 数据手册

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