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LT6A07 PDF预览

LT6A07

更新时间： 2024-02-16 20:00:47
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 二极管
页数 文件大小 规格书
4页 45K
描述
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 6A, 1000V V(RRM), Silicon, R-6, 2 PIN

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LT6A07 技术参数

生命周期：Active包装说明：R-6, 2 PIN
针数：2Reach Compliance Code：unknown
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.58
其他特性：LOW LEAKAGE CURRENT应用：GENERAL PURPOSE
外壳连接：ISOLATED配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：O-PALF-W2最大非重复峰值正向电流：400 A
元件数量：1相数：1
端子数量：2最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-65 °C最大输出电流：6 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：ROUND
封装形式：LONG FORM认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：1000 V表面贴装：NO
端子形式：WIRE端子位置：AXIAL
Base Number Matches：1

LT6A07 数据手册

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LT6A01–LT6A07  
Vishay Lite–On Power Semiconductor  
6.0A Rectifier  
Features  
Diffused junction  
High current capability and low  
forward voltage drop  
Surge overload rating to 400A peak  
Low reverse leakage current  
Plastic material – UL Recognition  
flammability classification 94V–0  
14 424  
Absolute Maximum Ratings  
T = 25 C  
j
Parameter  
Test Conditions  
Type  
Symbol  
Value  
50  
100  
200  
400  
600  
800  
1000  
400  
Unit  
V
V
V
V
V
V
V
A
Repetitive peak reverse voltage  
=Working peak reverse voltage  
=DC Blocking voltage  
LT6A01  
LT6A02  
LT6A03  
LT6A04  
LT6A05  
LT6A06  
LT6A07  
V
RRM  
=V  
RWM  
=V  
R
Peak forward surge current  
I
FSM  
Average forward current  
T =60 C  
A
I
6
A
FAV  
Junction and storage temperature range  
T =T  
–65...+150  
C
j
stg  
Electrical Characteristics  
T = 25 C  
j
Parameter  
Test Conditions  
Type  
Symbol Min Typ Max Unit  
Forward voltage  
Reverse current  
I =6A  
V
1
10  
1
V
A
mA  
pF  
pF  
F
F
T =25 C  
I
I
A
R
T =100 C  
A
R
Diode capacitance  
V =4V, f=1MHz LT6A01–04  
R
C
D
C
D
140  
70  
LT6A05–07  
Thermal resistance  
junction to ambient  
R
thJA  
15  
K/W  
Rev. A2, 24-Jun-98  
1 (4)  
1234

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